[发明专利]用于处理基板的方法和用于制备包括粘合片材的制品的方法

权利要求书

1.一种处理基板表面的方法，包括以下步骤：

a.将基础基板放置在反应室内卡盘上，该反应室包括感应耦合等离子体线圈和供气入口，该卡盘和感应耦合等离子体线圈独立地连接至电源；

b.将形成聚合物的含氟气源供应到供气入口，并且使形成聚合物的含氟气源流入反应室以接触放置在卡盘上的基板，该形成聚合物的含氟气源包括式C_xH_zF_y的氟组分，其中x从1-4中选择，y从3-8中选择，z从0-3中选择，其中当x为1时，y为3，和z为1；

c.向感应耦合等离子体线圈和卡盘供电；

d.沉积源自形成聚合物的含氟气源的碳基材料，以在基板上形成涂层；

e.将沉积的涂层暴露于处理气体，以形成处理过的涂覆基板；

f.从反应室中移出处理过的涂覆基板，

其中所述处理气体包括氮气、氧气、氢气、二氧化碳气体及其组合中的至少一种，

其中步骤c中所述卡盘以小于60V的自给偏压运行，

其中所述处理过的涂覆基板的涂层包括粘结表面，所述粘结表面具有小于40％的氟的原子表面浓度，其中所述原子表面浓度是在使粘结表面与第二基板接触之前从所述粘结表面测量的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳基材料包括等离子体聚合的含氟聚合物。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述等离子体聚合的含氟聚合物具有小于15％的氟的原子表面浓度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成聚合物的含氟气源选自CHF₃、C₂F₄、C₃F₈、C₄F₈及其任意组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成聚合物的含氟气源不含蚀刻气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述蚀刻气体包括CF₄、SF₆、NF₃及其任意组合中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂层的平均厚度在1-10nm的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述涂层是单层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述基础基板是玻璃，其厚度为300微米或更小。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在沉积碳基材料的步骤期间，所述反应室具有小于30托的内部压力。

11.根据权利要求1所述的方法，其中步骤c包括向所述卡盘供应3-5W/m²的电力。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在将沉积的涂层暴露于处理气体期间，所述卡盘在1至2kV的电力偏压下操作。

13.根据权利要求1所述的方法，其中步骤c中所述卡盘以45至55V的自给偏压运行。

14.根据权利要求1所述的方法，其中步骤c包括向所述卡盘提供1至2kV的电力偏压。

15.根据权利要求1所述的方法，其中步骤c包括向所述感应耦合等离子体线圈提供11至17kW的功率。

16.根据权利要求1所述的方法，其中在给感应耦合等离子体线圈供电的同时通过供气入口馈送处理气体。