[发明专利]薄膜制造装置及使用神经网络的薄膜制造装置

权利要求书

1.一种薄膜制造装置，包括：

处理室；

气体供应单元；

排气单元；

电力供应单元；

运算部；以及

控制装置，

其中，所述气体供应单元对所述处理室内供应气体，

所述排气单元调整所述处理室内的压力，

所述电力供应单元对设置在所述处理室内的电极间施加电压，

所述运算部具有在薄膜形成中使用神经网络进行异常状态的检测及推论的功能，

并且，所述控制装置在薄膜形成中根据所述检测及所述推论的结果控制一个以上的设定条件。

2.一种薄膜制造装置，包括：

处理室；

气体供应单元；

排气单元；

电力供应单元；

匹配器；

运算部；以及

控制装置，

其中，所述气体供应单元对所述处理室内供应气体，

所述排气单元调整所述处理室内的压力，

所述电力供应单元通过高频电源对设置在所述处理室内的电极间施加电压，

所述匹配器具有有效地感应交流电力的功能以及在薄膜形成中取得数据的功能，

所述运算部具有在薄膜形成中使用神经网络进行异常状态的检测及推论的功能，

并且，所述控制装置在薄膜形成中根据所述检测及所述推论的结果控制一个以上的设定条件。

3.一种薄膜制造装置，包括：

处理室；

气体供应单元；

排气单元；

电力供应单元；

匹配器；

电极间隔调整单元；

温度调整单元；

运算部；以及

控制装置，

其中，所述气体供应单元对所述处理室内供应气体，

所述排气单元调整所述处理室内的压力，

所述电力供应单元通过高频电源对设置在所述处理室内的两个电极间施加电压，

所述匹配器具有有效地感应交流电力的功能以及在薄膜形成中取得数据的功能，

所述电极间隔调整单元调整设置在所述处理室内的所述两个电极间的间隔，

所述温度调整单元调整所述处理室内的温度，

所述运算部具有在薄膜形成中使用神经网络进行异常状态的检测及推论的功能，

并且，所述控制装置在薄膜形成中根据所述检测及所述推论的结果控制一个以上的设定条件。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜制造装置，

其中所述神经网络根据在某个期间储存的所述一个以上的设定条件及在所述一个以上的设定条件下进行的薄膜形成中取得的数据预先结束用来进行所述检测的学习及用来进行所述推论的学习。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜制造装置，

其中所述运算部包括存储器，

所述存储器包括晶体管以及电容器，

并且所述晶体管在沟道形成区域包含金属氧化物。

6.根据权利要求5所述的薄膜制造装置，

其中所述运算部包括半导体装置，

所述半导体装置具有进行所述神经网络的运算的功能，

所述半导体装置具有存储单元，

并且在所述存储单元中使用在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管。

7.根据权利要求2至6中任一项所述的薄膜制造装置，

其中所述一个以上的设定条件是选自气体的种类及流量或流量比、处理室内的压力、电极间的施加电压、电极间距离及衬底温度中，

并且所述数据为交流电压的最大电压与最小电压之差和线圈与地线间的电位差中的一个或两个。

8.根据权利要求2至7中任一项所述的薄膜制造装置，

其中在所述处理室中可以进行使用等离子体CVD法的成膜处理。