[发明专利]用于存储器感测的电流分离在审

专利信息
申请号: 201880081338.0 申请日: 2018-12-10
公开(公告)号: CN111492432A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: D·维梅尔卡蒂 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C11/22 分类号: G11C11/22
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 存储器 电流 分离
【说明书】:

发明包含用于存储器感测的电流分离的设备、方法及系统。实施例包含:将感测电压施加到具有铁电材料的存储器单元;及通过分离由所述存储器单元在将所述感测电压施加到所述存储器单元时输出的第一电流与由所述存储器单元在将所述感测电压施加到所述存储器单元时输出的第二电流来确定所述存储器单元的数据状态,其中由所述存储器单元输出的所述第一电流对应于所述存储器单元的所述铁电材料的第一极化状态且由所述存储器单元输出的所述第二电流对应于所述存储器单元的所述铁电材料的第二极化状态。

技术领域

本发明大体上涉及半导体存储器及方法,且更特定来说,本发明涉及用于存储器感测的电流分离。

背景技术

通常,提供存储器装置作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可移除装置。存在包含易失性及非易失性存储器的许多不同类型的存储器。易失性存储器需要电力来保存其数据且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可通过在不被供电时留存存储数据来提供持久性数据且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)及可编程导电存储器)等等。

存储器装置可用作需要高存储器密度、高可靠性及低功耗的各种电子应用的易失性及非易失性存储器。非易失性存储器可用于(例如)个人计算机、便携式存储器棒、固态驱动(SSD)、数码相机、蜂窝电话、便携式音乐播放器(例如MP3播放器)及电影播放器以及其它电子装置中。

存储器装置可包含可基于存储元件(例如电容器)的充电量来存储数据的存储器单元。此类存储器单元可经编程以通过改变存储元件的充电量来存储对应于目标数据状态的数据(例如,电容器的不同充电量可表示不同数据状态)。例如,可在特定时段内将例如正或负电脉冲(例如正或负电压或电流脉冲)的电场或能量源施加到存储器单元(例如单元的存储元件)以将单元编程到目标数据状态。

存储器单元可经编程到数个数据状态中的一者。例如,单电平存储器单元(SLC)可经编程到两个不同数据状态中的目标者,其可由二进制单位1或0表示且可取决于单元的电容器带电或不带电。作为额外实例,一些存储器单元可经编程到两个以上数据状态(例如1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110及1110)中的目标者。此类单元可称为多状态存储器单元、多单位单元或多电平单元(MLC)。MLC可提供较高密度存储器且不增加存储器单元的数目,这是因为每一单元可表示一个以上数字(例如一个以上位)。

附图说明

图1A说明根据本发明的实施例的存储器阵列的实例。

图1B说明根据本发明的实施例的存储器单元的实例。

图2是说明根据本发明的实施例的施加电场与存储器单元的存储电荷之间的关系的图式的实例。

图3说明根据本发明的实施例的用于存储器感测的电流分离的电路系统的实例。

图4说明根据本发明的实施例的与感测存储器单元相关联的时序图的实例。

图5是说明根据本发明的实施例的与感测存储器单元相关联的感测窗的图式的实例。

图6说明根据本发明的实施例的用于存储器感测的电流分离的电路系统的实例。

具体实施方式

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