[发明专利]半导体处理中的氢化硅烷化

说明书

形成半导体装置的实例可包含：通过将包含图案化特征的硅结构暴露于含氟化氢HF溶液而在所述硅结构上形成硅氢Si‑H封端表面；及通过将所述Si‑H封端表面暴露于烯烃及/或炔烃而经由氢化硅烷化执行表面改性。

技术领域

本发明大体上涉及半导体处理，且更特定来说，涉及在半导体处理中使用氢化硅烷化。

背景技术

半导体处理(例如，制造)可用于形成半导体装置，例如集成电路、存储器装置、微机电装置(MEMS)等。

可通过半导体处理形成的存储器装置的实例包含但不限于：易失性存储器(例如，其可需要电源来维持其数据)，例如随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等；及非易失性存储器(例如，其可通过在未被供电时保持经存储数据而提供永久性数据)，例如NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)等等。

半导体处理可涉及形成可被称为晶片或衬底的(例如，硅的)半导体上及/或中的特征(例如，图案)。在一些实例中，一或多种材料，例如硅基材料(例如，氧化硅(SiO)、碳化硅(SiN)、原硅酸四乙酯(TEOS)及/或多晶硅)可形成在半导体上。例如，可使用沉积工艺(例如物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)、电化学沉积及/或分子束外延等等)将一或多种材料形成在半导体上。

随后，可例如通过湿法及/或干法蚀刻移除一或多种材料的部分(及在一些情况下，半导体的部分)以形成特征。在一些实例中，特征可具有高纵横比(例如，高度对宽度或直径的比)且可被称为高纵横比(HAR)特征。例如，特征可能通过HAR开口彼此分离。

在处理期间，半导体及特征可经受湿法处理(例如湿法清洁)及后续干燥。例如，湿法清洁可有助于例如通过移除工艺或其它处理移除留下的残余物。

发明内容

根据本申请案的一方面，提供一种用于形成半导体装置的方法。所述方法包括：通过将包含图案化特征的硅结构暴露于含氟化氢(HF)溶液而在所述硅结构上形成硅氢(Si-H)封端表面；及通过将所述Si-H封端表面暴露于烯烃及/或炔烃而经由氢化硅烷化执行表面改性。

根据本申请案的另一方面，提供一种用于形成半导体装置的方法。所述方法包括：在硅结构上形成特征；在所述硅结构上形成所述特征之后对所述硅结构执行湿法清洁操作以移除残留在所述硅结构上的材料，其中所述湿法清洁操作包含将所述硅结构暴露于含氟化氢(HF)溶液；及通过将所述硅结构暴露于烯烃及/或炔烃而经由氢化硅烷化执行所述硅结构的表面改性。

根据本申请案的又一方面，提供一种用于形成半导体装置的方法。所述方法包括：通过使烯烃及/或炔烃与硅结构反应而经由氢化硅烷化对所述硅结构的Si-H封端表面执行所述表面改性。

根据本申请案的再一方面，提供一种半导体处理系统。所述半导体处理系统包括：第一腔室，其经配置以对硅结构执行湿法清洁操作，其中所述湿法清洁操作移除在所述硅结构上形成图案化特征之后残留在所述硅结构上的材料；及第二腔室，其经配置以通过将所述硅结构暴露于烯烃及/或炔烃而经由氢化硅烷化对所述硅结构执行表面改性。

附图说明

图1呈现特征倾倒的各种实例。

图2A到2C说明根据本发明的数个实施例的与形成半导体装置相关联的处理步骤的横截面视图。

图3是根据本发明的数个实施例的结合与形成半导体装置相关联的处理步骤使用的处理设备的框图说明。

图4是至少部分根据本发明的数个实施例形成的设备的框图说明。

具体实施方式