[发明专利]具有位于第一和第二衬底上的碳纳米管传感器的传感器装置

权利要求书

1.一种感测装置，其包括：

第一衬底，其具有多个贯穿其中的TSV；

第二衬底，其位于邻近所述第一衬底，其中所述TSV电连接到所述第二衬底；

至少一个碳纳米管传感器，其位于所述第一衬底上；以及

多个接触垫，每个接触垫位于所述第一衬底上并位于一个所述碳纳米管传感器上，使得每个接触垫电连接到一个所述TSV上以及一个所述碳纳米管传感器上，并使得所述一个碳纳米管传感器的一个端部嵌入所述接触垫中。

2.根据权利要求1所述的感测装置，其中所述第一衬底由硅或玻璃构成。

3.根据权利要求1所述的感测装置，其中所述第二衬底为PCB。

4.根据权利要求3所述的感测装置，其中在所述第二衬底的与所述第一衬底所邻近的所述第二衬底的一侧相反的一侧上，所述第二衬底包含栅极。

5.根据权利要求4所述的感测装置，其中在所述TSV与所述第二衬底之间设有焊料凸块。

6.根据权利要求1所述的感测装置，还包括位于所述第一衬底与所述第二衬底之间的界面周围的密封剂。

7.根据权利要求6所述的感测装置，其中所述密封剂为环氧树脂、塑料和硅树脂之一。

8.根据权利要求1所述的感测装置，其中所述接触垫由Ti、TiN、Pd、Au以及Pt其中一种形成。

9.根据权利要求1所述的感测装置，还包括在所述第一衬底与所述第二衬底之间的绝缘层。

10.根据权利要求9所述的感测装置，其中所述绝缘层由SiO₂和SiN其中一种形成。

11.根据权利要求1所述的感测装置，还包括在所述第一衬底上的多个附加碳纳米管传感器。

12.根据权利要求1所述的感测装置，还包括从每个接触垫向外延伸的延伸部。

13.一种形成感测装置的方法，其包括以下步骤：

在第一衬底中形成多个TSV；

在所述第一衬底上沉积至少一个碳纳米管传感器；

在所述第一衬底上和一个所述碳纳米管传感器上形成一对接触垫，使得每个接触垫电连接到一个所述TSV并电连接到所述一个所述碳纳米管传感器，并使得所述一个所述碳纳米管传感器的一个端部嵌入所述每个接触垫中；

将所述第一衬底放置于邻近一个第二衬底；以及

在所述TSV和所述第二衬底之间形成电连接。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括封装所述第一衬底与所述第二衬底之间的界面的步骤。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述封装步骤使用环氧树脂、塑料和硅树脂之一进行封装。

16.根据权利要求13所述的方法，还包括在所述第一衬底上沉积所述碳纳米管传感器之前在所述第一衬底上放置绝缘层的步骤。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述绝缘层由SiO₂和SiN其中一种制成。

18.根据权利要求13所述的方法，还包括在所述第二衬底的与所述第一衬底所邻近的所述第二衬底的一侧相反的一侧上提供栅极的步骤。

19.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一衬底由硅或玻璃制成。

20.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二衬底为PCB。