[发明专利]再装填管、原料供给装置、单晶提拉装置、再装填管的使用方法、再装填方法及单晶提拉方法

权利要求书

1.一种再装填管，为能够分割以及再生处理的再装填管，其为原料供给装置中的圆筒状再装填管，所述原料供给装置使用于基于切克劳斯基法的单晶的培育，并将颗粒状固体原料追加装填或再装填于坩埚内的原料熔液中，所述再装填管的特征在于，具有：

多个分割管，当填充所述固体原料时，在轴向上被分割；及

连结部，当将所述固体原料投入到所述坩埚中时，将所述分割管上下连结。

2.根据权利要求1所述的再装填管，其特征在于，

在所述分割管中，连结时位于下侧位置的分割管上端的内径设定为与位于上侧位置的分割管下端的内径相等，或者大于位于上侧位置的分割管下端的内径。

3.根据权利要求1所述的再装填管，其特征在于，

所述分割管的上端内径设定为与下端内径相等，或者大于下端内径。

4.根据权利要求1所述的再装填管，其特征在于，

在所述连结部处设置向径向外侧延伸的凸缘部，并设置紧固该凸缘部的紧固部。

5.根据权利要求1所述的再装填管，其特征在于，

在所述连结部处，在连结时位于下侧位置的分割管上端嵌合位于上侧位置的分割管下端。

6.根据权利要求1所述的再装填管，其特征在于，

所述连结部将所述分割管的上端面和下端面对接连结。

7.根据权利要求5所述的再装填管，其特征在于，

在所述连结部中，在上侧的所述分割管与下侧的所述分割管接触的面设置缓冲部件。

8.根据权利要求7所述的再装填管，其特征在于，

所述缓冲部件的内径设定为与位于上侧位置的分割管下端的内径相等，或者大于位于上侧位置的分割管下端的内径。

9.根据权利要求7所述的再装填管，其特征在于，

所述分割管由石英构成，所述缓冲部件由具有挠性且含碳的材料构成。

10.一种原料供给装置，其使用于基于切克劳斯基法的单晶的培育，并将颗粒状固体原料追加装填或再装填于坩埚内的原料熔液中，

所述原料供给装置的特征在于具备：

权利要求1至9中任一项所述的再装填管；

圆锥状底盖，以能够装卸的方式安装于所述再装填管的下方开口端；

提拉构件，悬吊所述再装填管及所述底盖以使其能够升降，并且开放所述再装填管的下方开口端，以便能够将所述固体原料投入到所述坩埚内的原料熔液中。

11.一种单晶提拉装置，其根据切克劳斯基法从原料熔液中培育单晶，

所述单晶提拉装置的特征在于具有：

权利要求10所述的原料供给装置；

炉体，内部具备所述坩埚；及

热屏蔽体，在该炉体内，在所述坩埚的上方位置周设成下端内周缩径的筒状，并阻断从所述原料熔液向培育中的所述单晶的辐射热，

当进行追加装填或再装填时，将所述再装填管从上方插入到所述热屏蔽体的内侧，并且使所述再装填管的下端位于比所述热屏蔽体的下端更靠上方的位置，在该状态下，在所述坩埚内的所述原料熔液中投入所述固体原料。

12.根据权利要求11所述的单晶提拉装置，其特征在于，

当在所述坩埚内的所述原料熔液中投入所述固体原料时，所述连结部设定于比所述热屏蔽体的下端位置更高的位置。

13.根据权利要求11所述的单晶提拉装置，其特征在于，

在所述炉体的外侧，当在所述再装填管中填充所述固体原料时，

具有以下述方式进行支承的倾斜支承台，该倾斜支承台将在下端安装有所述底盖的所述分割管倾斜地支承，并且使在填充所述固体原料的过程中倾斜的所述分割管向铅垂方向侧直立，使得能够利用所述连结部将所述分割管在上侧进行连结。