[发明专利]半导体晶片及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体晶片，

在基板上具有：

电极焊盘；

覆盖所述基板上表面且具有使所述电极焊盘露出的开口部的钝化膜；

形成在所述电极焊盘上的无电解镀镍被膜；形成在所述无电解镀镍被膜上的无电解镀钯被膜；和形成在所述无电解镀钯被膜上的无电解镀金被膜，

对于在所述钝化膜与所述无电解镀镍被膜的界面存在的空隙，从空隙的前端至电极焊盘的表面为止的长度为0.3μm以上，空隙的宽度为0.2μm以下，且所述电极焊盘的全部表面被所述无电解镀镍被膜覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片，

所述无电解镀镍被膜、无电解镀钯被膜以及无电解镀金被膜的膜厚分别为0.5μm～15.0μm、0.02μm～0.50μm、0.01μm～0.50μm。

3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片，

所述无电解镀金被膜具有置换镀金被膜和还原镀金被膜，置换镀金被膜的厚度为0.01μm以下，还原镀金被膜的厚度为0.01μm以上。

4.一种半导体晶片的制造方法，是权利要求1～3中任一项所述的半导体晶片的制造方法，该方法包括：

在基板上形成电极焊盘的工序；

在形成了所述电极焊盘的基板的上表面形成钝化膜的工序；

在所述钝化膜形成使所述电极焊盘露出的开口部的工序；

在所述露出的电极焊盘上形成无电解镀镍被膜的工序；形成无电解镀钯被膜的工序；以及形成无电解镀金被膜的工序，

所述形成无电解镀金被膜的工序包括形成无电解置换镀金被膜的工序和形成无电解还原镀金被膜的工序，

对于所述形成无电解置换镀金被膜的工序，作为无电解置换镀金液，使用在镀钯被膜上以镀敷温度80℃、镀敷时间15分钟进行了镀敷时、镀敷膜厚成为20nm以下的无电解置换镀金液进行无电解置换镀金，或者使用以镀敷温度80℃、镀敷时间15分钟进行了镀敷时、镀敷膜厚超过20nm的无电解置换镀金液的情况下，以镀敷膜厚成为20nm以下的镀敷条件进行无电解置换镀金。