[发明专利]用于制造转换元件的方法和转换元件

权利要求书

1.一种用于制造转换元件(2)的方法，所述方法具有如下步骤：

-提供具有开口(9)的框架(8)；

-将牺牲层(10)至少施加到至少一个开口(9c)的侧面上；

-将反射层(5)施加到所述牺牲层(10)上；

-将转换材料(4)引入到所述至少一个开口(9)中，其中所述转换材料(4)覆盖所述反射层(5)；以及

-将所述牺牲层(10)和所述框架(8)移除，其中所述反射层(5)与所述转换材料的底面和顶面(4a，4b)齐平。

2.根据上一项权利要求所述的方法，

其中所述至少一个开口(9)的侧面具有斜边。

3.一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法，其中

-执行根据上述权利要求中任一项所述的用于制造转换元件(2)的方法，并且

-在引入所述转换材料(4)之前，将发射辐射的半导体芯片(3)引入到至少一个开口(9)中。

4.根据上一项权利要求所述的方法，其中

引入的所述转换材料(4)部分地包围所述发射辐射的半导体芯片(3)。

5.一种转换元件(2)，所述转换元件具有：

-转换材料(4)，和

-反射层(5)，其中

-所述反射层(5)与所述转换材料的侧面(4c)直接接触，并且

-所述反射层(5)的背离所述转换材料(4)的外表面形成所述转换元件(2)的露出的外表面。

6.根据上一项权利要求所述的转换元件(2)，

其中所述反射层(5)完全地覆盖所述转换材料(4c)的至少一个侧面。

7.根据上述权利要求中任一项所述的转换元件(2)，

其中所述反射层(5)具有恒定的厚度。

8.根据上述权利要求中任一项所述的转换元件(2)，

其中所述转换材料(4)具有朝所述转换元件的底面或顶面(4a，4b)的方向扩宽的形状。

9.一种光电子半导体器件(1)，所述光电子半导体器件具有：

-根据上述权利要求5至8中任一项所述的转换元件(2)，和

-发射辐射的半导体芯片(3)，其中

-所述发射辐射的半导体芯片(3)嵌入到所述转换元件(4)中，

-所述发射辐射的半导体芯片(3)包括半导体本体(6)，所述半导体本体构成用于产生电磁初级辐射，和

-在所述发射辐射的半导体芯片(3)的下侧上设置有接触元件(7)。

10.根据上一项权利要求所述的光电子半导体器件(1)，

其中所述转换材料(4)覆盖所述半导体本体的侧面(6c)。

11.根据上两项权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，

其中所述转换材料(4)覆盖所述半导体本体的顶面(6a)。

12.根据前三项权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，

其中所述转换材料(4)与所述半导体本体的至少一个侧面和顶面(6c，6a)直接接触。

13.根据前四项权利要求中任一项所述的光电子半导体器件(1)，

其中所述反射层(5)构成用于，反射所述电磁初级辐射的一部分。

14.一种用于制造转换元件(2)的方法，所述转换元件能够施加在发射辐射的半导体芯片上，所述方法具有如下步骤：

-提供具有开口(9)的框架(8)；

-将牺牲层(10)至少施加到至少一个开口的侧面(9c)上；

-将反射层(5)施加到所述牺牲层(10)上；

-将转换材料(4)引入到至少一个开口(9)中，其中所述转换材料(4)覆盖所述反射层(5)；以及

-将所述牺牲层(10)和所述框架(8)移除。