[发明专利]带有二维纳米结构的防伪元件和该防伪元件的制造方法

权利要求书

1.一种用于有价文件的防伪元件，其中，所述防伪元件(S)具有：

-介电性的基材(2)，在所述基材中成型有二维的周期性的纳米结构(1)，所述纳米结构具有定义了基平面(5)的大量基面元件(9)和相较而言隆起或下陷的、平坦的面元件(3)，

-其中，在所述基面元件(9)与面元件(3)之间分别形成垂直于基平面(5)测定的间距，并且在基面元件(9)与面元件(3)之间构造有连接侧翼，

-其中，基面元件(9)和面元件(3)分别被金属的或高折射的层覆盖，所述层较之所述间距更薄，并且

-基面元件(9)和面元件(3)在纳米结构(1)中交替地布置成规则图案，并且沿平行于基平面(5)延伸的两个方向，面元件(3)的阵列的相应周期(d)在100nm至450nm之间，并且

所述连接侧翼也被金属的或高折射的层覆盖，从而使所述层连续地覆盖纳米结构(1)，

其特征在于，

被金属的或高折射的层连续地覆盖的纳米结构以零衍射级反射入射光。

2.根据权利要求1所述的防伪元件，其特征在于，纳米结构(1)嵌入介电体中。

3.根据权利要求1所述的防伪元件，其特征在于，所述层具有20nm至250nm之间的厚度。

4.根据权利要求1所述的防伪元件，其特征在于，所述层具有25nm至150nm之间的厚度。

5.根据权利要求1所述的防伪元件，其特征在于，所述层具有统一的法向厚度。

6.根据权利要求1所述的防伪元件，其特征在于，连接侧翼相对于基平面(5)以90度至70度之间的角度延伸。

7.根据权利要求6所述的防伪元件，其特征在于，纳米结构(1)在横截面中具有矩形或梯形的形廓。

8.根据权利要求1所述的防伪元件，其特征在于，所述规则图案在基平面的俯视图中具有矩形或六角形的底面形状。

9.根据权利要求1所述的防伪元件，其特征在于，所述间距为50nm至500nm之间并且沿横向改变，以实现颜色变化。

10.根据权利要求1所述的防伪元件，其特征在于，面元件(3)的周期(d)和/或尺寸(w)沿横向改变，以实现颜色变化。

11.一种有价文件，其带有根据权利要求1至10中任一项所述的防伪元件(S)。

12.一种用于制造防伪元件(S)的方法，其中，

-在介电性的基材中成型二维的周期性的纳米结构(1)，所述纳米结构具有定义了基平面(5)的大量基面元件(9)和相较而言隆起或下陷的、平坦的面元件(3)，

-其中，在所述基面元件(9)与面元件(3)之间分别形成垂直于基平面(5)测定的间距，并且在基面元件(9)与面元件(3)之间构造连接侧翼，

-其中，基面元件(9)和面元件(3)分别被金属的或高折射的层覆盖，所述层较之所述间距更薄，并且

-基面元件(9)和面元件(3)在纳米结构(1)中交替地布置成规则图案，并且沿平行于基平面(5)延伸的两个方向，面元件(3)的阵列的相应周期(d)在100nm至450nm之间，并且

所述连接侧翼也被所述层覆盖，从而使所述层连续地覆盖纳米结构(1)，

其特征在于，

被金属的或高折射的层连续地覆盖的纳米结构以零衍射级反射入射光。

13.根据权利要求12所述的用于制造防伪元件的方法，其特征在于，制备根据权利要求1至10中任一项所述的防伪元件(S)。