[发明专利]用于微电子封装翘曲控制的应力调谐加固物

权利要求书

1.一种半导体装置组合件，其包括：

衬底，其具有第一侧及第二侧；

半导体装置，其具有第一侧及第二侧，其中所述半导体装置定位于所述衬底的所述第一侧上且所述半导体装置的所述第二侧相邻于所述衬底的所述第一侧；

至少一个加固部件，其定位于所述半导体装置的所述第一侧上；及

模制化合物，其至少囊封所述半导体装置及所述至少一个加固部件。

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述衬底具有第一热膨胀系数，所述半导体装置具有第二热膨胀系数，所述模制化合物具有第三热膨胀系数，且所述至少一个加固部件具有第四热膨胀系数，且其中所述第一、第二、第三及第四热膨胀系数中的每一者不同。

3.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其中所述至少一个加固部件经配置使得所述第四热膨胀系数介于所述第一热膨胀系数与所述第三热膨胀系数之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述半导体装置组合件在260摄氏度下具有50微米或更小的翘曲。

5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述至少一个加固部件包括金属、金属电介质、碳纳米管、玻璃纤维、织物材料或玻璃。

6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述衬底在260摄氏度下具有第一翘曲，其中所述半导体装置及所述至少一个加固部件在260度下具有组合第二翘曲，且其中所述第二翘曲基本上对应于所述第一翘曲。

7.一种半导体装置组合件，其包括：

衬底，其具有第一侧及第二侧；

半导体装置，其具有第一侧及第二侧，其中所述半导体装置定位于所述衬底的所述第一侧上且所述半导体装置的所述第二侧相邻于所述衬底的所述第一侧；

模制化合物，其至少囊封所述半导体装置；及

至少一个加固部件，其定位于所述模制化合物的顶面上。

8.根据权利要求7所述的半导体装置组合件，其中所述至少一个加固部件具有热膨胀系数，其中所述至少一个加固部件的所述热膨胀系数经配置使得所述半导体装置组合件在260摄氏度下具有50微米或更小的翘曲。

9.根据权利要求7所述的半导体装置组合件，其中所述衬底具有8到10范围内的热膨胀系数，其中所述模制化合物具有10到15范围内的热膨胀系数，其中所述半导体装置具有2到3范围内的热膨胀系数，且其中所述至少一个加固部件具有介于所述模制化合物的所述热膨胀系数与所述衬底的所述热膨胀系数之间的热膨胀系数。

10.根据权利要求7所述的半导体装置组合件，其进一步包括定位于所述半导体装置的所述第一侧的一部分上的第二加固部件。

11.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述至少一个加固部件进一步包括多个加固部件。

12.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述第二加固部件进一步包括多个第二加固部件。

13.一种形成半导体装置组合件的方法，所述方法包括：

确定包括半导体装置、衬底及模制化合物的第一半导体装置组合件的第一翘曲；

基于所述第一翘曲调谐加固部件以形成具有第二翘曲的第二半导体装置组合件，所述第二半导体装置组合件包括所述半导体装置、所述衬底、所述模制化合物及所述加固部件；及

形成包括定位于所述衬底上的所述半导体装置、至少囊封所述半导体装置的所述模制化合物及所述加固部件的所述第二半导体装置组合件。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二翘曲基本上对应于第二半导体装置或第三半导体装置组合件的第三翘曲。