[发明专利]混合滤波器

权利要求书

1.一种混合滤波器，包括

-衬底(SU)；

-滤波器电路，具有从BAW谐振器(BR)和LC元件中选择的串联阻抗元件和并联阻抗元件的阶梯型布置或点阵布置，所述滤波器电路布置在所述衬底上，

其中

-所述LC元件包括金属-绝缘体-金属电容器(MIM)和线圈(IND)，

-所述LC元件由多级金属化(MLM)形成，

-所述LC元件的每个金属化级(ML)被嵌入电介质(DE)中，

-以同一金属化级形成的LC元件通过导体线电连接，

-以不同金属化级形成的LC元件通过通孔(ICN)互连。

2.根据前述权利要求所述的混合滤波器，

其中所述衬底(SU)是玻璃衬底。

3.根据前述权利要求所述的混合滤波器，

其中所述LC元件(MIM，IND)被体现为玻璃上无源元件。

4.根据前述权利要求所述的混合滤波器，

-其中所述LC元件形成在所述玻璃衬底(SU)上，

-其中平面电介质层布置在所述LC元件上方，

-其中所述BAW谐振器(BR)直接形成在所述平面电介质层上。

5.根据权利要求1至3中一项所述的混合滤波器，

其中所述BAW谐振器(BR)形成在所述衬底(SU)的所述表面上，

其中每个BAW谐振器至少包括顶部声学反射镜，

其中所述LC元件作为无源元件形成在所述顶部声学反射镜上。

6.根据权利要求1至3中一项所述的混合滤波器，

其中所述LC元件和所述BAW谐振器(BR)形成在所述衬底(SU)的相对的表面上。

7.根据权利要求1至3中一项所述的混合滤波器，

其中所述LC元件和所述BAW谐振器(BR)彼此相邻地形成在所述衬底(SU)的同一表面上。

8.根据权利要求4所述的混合滤波器，

其中所述平面电介质层包括经抛光的氧化硅层。

9.根据前述权利要求中一项所述的混合滤波器，

其中所述滤波器电路的所有外部接触焊盘(CP)布置在所述BAW谐振器(BR)的所述顶部表面上。

10.根据前述权利要求中一项所述的混合滤波器，

其中所述滤波器电路包括作为所述阶梯型布置或点阵型布置的串联阻抗元件(IE_S)的金属-绝缘体-金属电容器(MIM)、和作为所述阶梯型布置或点阵型布置的并联电抗元件(IE_P)的线圈(IND)，

其中所述BAW谐振器(BR)和所述LC元件(MIM，IND)通过通孔互连。