[发明专利]具有补偿交叉轴效应的磁阻磁场传感器桥

权利要求书

1.一种磁阻（MR）磁场传感器系统，包括：

至少一个MR磁场传感器桥，所述至少一个MF磁场传感器桥包括：

感测腿，其包括至少一个感测元件，所述感测元件具有以第一固定磁化取向的第一层、以及以第一自由磁化取向的第二层，在零施加的磁场下，第一自由磁化取向与第一固定磁化取向正交，以及

参考腿，其并联地以电子方式连接到感测腿，参考腿包括至少一个参考元件，所述参考元件具有以第二固定磁化取向的第三层、以及以第二自由磁化取向的第四层，第二固定磁化取向平行于第一固定磁化取向并且与第一固定磁化取向处于相同的方向上，在零施加的磁场下，第二自由磁化取向平行于第一固定磁化取向。

2.根据权利要求1所述的MR磁场传感器系统，其中：

所述至少一个感测元件包括第一感测元件和第二感测元件；

在零施加的磁场下，第一感测元件的第一自由磁化取向与第二感测元件的第一自由磁化取向相反；

所述至少一个参考元件包括第一参考元件和第二参考元件；并且

在零施加的磁场下，第一参考元件的第二自由磁化取向与第二参考元件的第二自由磁化取向相反。

3.根据权利要求2所述的MR磁场传感器系统，其中：

所述至少一个感测元件包括第三感测元件和第四感测元件；

第三感测元件串联地以电子方式连接到第一感测元件；

第四感测元件与第二感测元件串联地以电子方式连接；

在零施加的磁场下，第三感测元件的第一自由磁化取向与第四感测元件的第一自由磁化取向相反；

在零施加的磁场下，第三感测元件的第一自由磁化取向与第二感测元件的第一自由磁化取向相反；

所述至少一个参考元件包括第三参考元件和第四参考元件；

第三参考元件与第一参考元件串联地以电子方式连接；

第四参考元件与第二参考元件串联地以电子方式连接；

在零施加的磁场下，第三参考元件的第二自由磁化取向与第四参考元件的第二自由磁化取向相反；并且

在零施加的磁场下，第三参考元件的第二自由磁化取向与第二参考元件的第二自由磁化取向相反。

4.根据权利要求3所述的MR磁场传感器系统，进一步包括：

存储器，其包括存储在其中的程序指令；以及

控制单元，其可操作地连接到所述至少一个MR磁场传感器桥和存储器，控制单元被配置成执行所述程序指令，以基于来自所述至少一个MR磁场传感器桥的输入来确定与所述至少一个MR磁场传感器桥相关联的旋转取向。

5.根据权利要求1所述的MR磁场传感器系统，其中：

所述至少一个MR磁场传感器桥包括第一MR磁场传感器桥和第二MR磁场传感器桥；并且

第一MR磁场传感器桥的第一固定磁化取向与第二MR磁场传感器桥的第一固定磁化取向正交。

6.根据权利要求5所述的MR磁场传感器系统，其中：

所述至少一个MR磁场传感器桥进一步包括第三MR磁场传感器桥；

第三MR磁场传感器桥的第一固定磁化取向与第一MR磁场传感器桥的第一固定磁化取向正交；并且

第三MR磁场传感器桥的第一固定磁化取向与第二MR磁场传感器桥的第一固定磁化取向正交。

7.根据权利要求6所述的MR磁场传感器系统，进一步包括：

存储器，其包括存储在其中的程序指令；以及

控制单元，其可操作地连接到第一MR磁场传感器桥、第二MR磁场传感器桥、第三MR磁场传感器桥和存储器，控制单元被配置成执行所述程序指令，以基于来自第一MR磁场传感器桥、第二MR磁场传感器桥和第三MR磁场传感器桥的输入来确定旋转取向。

8.根据权利要求1所述的MR磁场传感器系统，其中所述至少一个MR磁场传感器桥是隧穿MR磁场传感器桥。

9.根据权利要求1所述的MR磁场传感器系统，其中所述至少一个MR磁场传感器桥是各向异性MR磁场传感器桥。