[发明专利]利用工程化衬底结构实施的功率器件和RF器件在审
| 申请号： | 201880082269.5 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111566827A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;杰姆·巴斯切里;奥兹古·阿克塔斯;莎丽·法伦斯 | 申请（专利权）人： | 克罗米斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/30;H01L21/46;H01L21/683;H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 景怀宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 工程 衬底 结构 实施 功率 器件 rf | ||
1.一种电子器件，包括：
支撑结构，包括：
多晶陶瓷芯；
耦合至所述多晶陶瓷芯的第一粘附层；
耦合至所述第一粘附层的导电层；
耦合至所述导电层的第二粘附层；以及
耦合至所述第二粘附层的阻挡层；
耦合至所述支撑结构的缓冲层；
耦合至所述缓冲层的接触层；以及
耦合至所述接触层的场效应晶体管(FET)。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述场效应晶体管包括鳍式场效应晶体管。
3.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述场效应晶体管包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。
4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述支撑结构还包括：
耦合至所述阻挡层的键合层；以及
耦合至所述键合层的实质单晶硅层；
其中所述缓冲层包括：耦合至所述实质单晶硅层的III-V族外延层。
5.根据权利要求4所述的电子器件，其特征在于，所述III-V族外延层包括氮化镓外延层。
6.根据权利要求5所述的电子器件，其特征在于，所述氮化镓外延层具有大约5μm或更厚的厚度。
7.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述多晶陶瓷芯包括氮化铝。
8.根据权利要求7所述的电子器件，其特征在于，
所述第一粘附层包括第一正硅酸乙酯层(TEOS)，所述第一正硅酸乙酯层封装所述多晶陶瓷芯；
所述导电层包括多晶硅层，所述多晶硅层封装所述第一正硅酸乙酯氧化层；
所述第二粘附层包括第二正硅酸乙酯层，所述第二正硅酸乙酯层封装所述多晶硅层；以及
所述阻挡层包括氮化硅层，所述氮化硅层封装所述第二正硅酸乙酯层。
9.根据权利要求8所述的电子器件，其特征在于，
所述第一正硅酸乙酯层具有大约的厚度；
所述多晶硅层具有大约的厚度；
所述第二正硅酸乙酯层具有大约的厚度；以及
所述氮化硅层具有大约的厚度。
10.一种声学谐振器，包括：
支撑结构，包括：
多晶陶瓷芯；
耦合至所述多晶陶瓷芯的第一粘附层；
耦合至所述第一粘附层的导电层；
耦合至所述导电层的第二粘附层；以及
耦合至所述第二粘附层的阻挡层；
其中，所述支撑结构限定有腔体；
机械地耦合至所述支撑结构的一部分的III-V族层，其中，所述III-V族层的一部分无支撑地位于由所述支撑结构限定的所述腔体的上方；
耦合至所述III-V族层的第一表面的第一电极；以及
耦合至所述III-V族层的第二表面的第二电极，所述第二表面与所述III-V族层的无支撑的所述部分中的所述第一表面相对。
11.根据权利要求10所述的声学谐振器，其特征在于，所述多晶陶瓷芯包括氮化铝。
12.根据权利要求10所述的声学谐振器，其特征在于，
所述第一粘附层包括第一正硅酸乙酯层，所述第一正硅酸乙酯层封装所述多晶陶瓷芯；
所述导电层包括多晶硅层，所述多晶硅层封装所述第一正硅酸乙酯氧化层；
所述第二粘附层包括第二正硅酸乙酯层，所述第二正硅酸乙酯层封装所述多晶硅层；以及
所述阻挡层包括氮化硅层，所述氮化硅层封装所述第二正硅酸乙酯层。
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