[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板，具有相互对置的第一主面以及第二主面；以及

多孔金属氧化膜，形成在上述半导体基板的上述第一主面侧，并且具有多个细孔，

上述半导体基板构成为：在上述第一主面侧具有与上述多孔金属氧化膜电连接的连接部，并且从上述第二主面侧到上述第一主面侧的上述连接部提供供电路径，

在俯视上述半导体基板的上述第一主面时，上述多孔金属氧化膜与上述连接部重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

在俯视上述半导体基板的上述第一主面时，上述连接部设置于上述多孔金属氧化膜的中央。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述多个细孔在上述多孔金属氧化膜中向与上述半导体基板侧的相反侧开口，并且沿与上述半导体基板的上述第一主面交叉的方向延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备第一绝缘膜，上述第一绝缘膜设置在上述半导体基板与上述多孔金属氧化膜之间，并且形成有通孔，

上述多孔金属氧化膜通过上述第一绝缘膜的上述通孔与上述连接部电连接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述半导体基板的电阻率在100Ω·cm以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述连接部具有杂质浓度比周围高的高浓度区域。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备第一金属膜，上述第一金属膜具备将上述连接部与上述多孔金属氧化膜电连接的供电线。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

上述供电线与上述多孔金属氧化膜的上述半导体基板侧的面接触。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

上述供电线与上述多孔金属氧化膜的端部接触。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

还具备电极焊盘，上述电极焊盘设置在上述半导体基板的上述第一主面侧，并且与外部电路电连接，

上述多孔金属氧化膜具有上述电极焊盘所包含的金属材料的氧化物。

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

上述多孔金属氧化膜具有上述供电线所包含的金属材料的氧化物。

12.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

上述第一金属膜还具备信号线，上述信号线与上述供电线电分离，并且与外部电路电连接。

13.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，

还具备电容器电极，上述电容器电极设置在上述多孔金属氧化膜的与上述半导体基板侧的相反侧，并且向上述多个细孔的内部延伸，

将上述多孔金属氧化膜作为介电膜，在上述供电线与上述电容器电极之间形成静电电容。

14.根据权利要求1～12中的任意一项所述的半导体装置，其中，

上述半导体装置还具备：

第一电容器电极，设置在上述多孔金属氧化膜的与上述半导体基板侧的相反侧，并且向上述多个细孔的内部延伸；

介电膜，设置在上述第一电容器电极的与上述半导体基板侧的相反侧，并且向上述多个细孔的内部延伸；以及

第二电容器电极，夹着上述介电膜与上述第一电容器电极对置，

在上述第一电容器电极与上述第二电容器电极之间形成静电电容。