[发明专利]包含反配位络合物的有机电子器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电子器件，其包含至少一种反配位络合物，所述反配位络合物包含：

(i)由一个原子或一起形成共价簇的多个原子构成的核；

(ii)由至少四个电正性原子构成的第一配位球，所述电正性原子各自单独地具有小于2.4的Allen电负性；和

(iii)包含多个配体的第二配位球；

其中所述第一配位球比所述第二配位球更接近所述核；

所述核的所有原子具有比所述第一配位球的任何电正性原子更高的Allen电负性；并且

所述第二配位球的至少一个配体共价键合到所述第一配位球的至少两个原子。

2.根据权利要求1所述的有机电子器件，其中所述第一配位球的电正性原子独立地选自具有小于2.3的Allen电负性的原子。

3.根据权利要求1或2所述的有机电子器件，其中所述电正性原子独立地选自处于氧化态(II)下的金属离子。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，其中所述核由一个原子构成，所述原子是处于氧化态(-II)下的O。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，其中所述第一配位球由具有小于2.4的Allen电负性、分别处于氧化态(II)下的四个电正性原子构成，并且所述四个电正性原子以四面体方式配位到所述核。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，其中所述第二配位球的至少一个配体是通过可α-γ互变异构的质子酸的去质子化形成的并桥接所述第一配位球的两个电正性原子的双齿阴离子配体，优选地，所述至少一个配体是羧酸阴离子，或者由通式(I)表示：

其中R¹和R²独立地选自C₁至C₃₀烃基和C₂至C₃₀杂环基，其中R¹和/或R²可以任选地被CN、F、Cl、Br和I中的至少一者取代。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，其中所述核由选自O、S、Se和Te的处于氧化态(-II)下的一个硫族元素原子构成；所述第一配位球由四个电正性原子构成，所述四个电正性原子是处于氧化态(II)下的四个金属原子并且以四面体方式配位到所述核，并且所述第二配位球由六个具有通式(I)的配体构成。

8.根据权利要求7所述的有机电子器件，其中所述第二配位球的各配体配位到所述第一配位球的两个不同的金属原子。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，所述有机电子器件在第一电极与第二电极之间包含含有所述至少一种反配位络合物的有机半导体层。

10.根据权利要求9所述的有机电子器件，其中所述有机半导体层是电荷注入层、电荷传输层或电荷产生层。

11.根据权利要求9或10所述的有机电子器件，其中所述有机半导体层是空穴注入层、空穴传输层或空穴产生层。

12.根据权利要求9至11中的任一项所述的有机电子器件，其中所述有机半导体层还包含至少一种有机基质化合物。

13.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，其中所述有机电子器件是电致发光器件。

14.根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件，其中所述电致发光器件是有机发光二极管。

15.一种用于制备根据前述权利要求中的任一项所述的有机电子器件的方法，所述方法包括下述步骤：

(a)使所述反配位络合物蒸发；和

(b)使所述反配位络合物沉积在固相支撑物上。