[发明专利]使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201880082422.4 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN111492487A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 金政勋;朴昶绪;沈奉柱;赵炳权;赵贤佑 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/38 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 半导体 发光 元件 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法,尤其,本发明的显示装置包括:半导体发光元件;以及基板,具有用于容纳所述半导体发光元件的容纳槽,所述半导体发光元件具备:第一导电型半导体层;第二导电型半导体层,配置于所述第一导电型半导体层的上部;第一导电型电极,配置于所述第一导电型半导体层;以及第二导电型电极,配置于所述第二导电型半导体层,并且沿着水平方向与所述第一导电型电极隔开,若所述半导体发光元件组装到所述容纳槽,则所述第一导电型半导体层具有以至少一个方向为基准呈非对称的形状,使得所述第一导电型电极和所述第二导电型电极排列到预设位置。
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法,尤其,涉及一种使用半导体发光元件的显示装置。
背景技术
近年来,液晶显示器(LCD)、有机发光元件(OLED)显示器以及微LED显示器等一直争相在显示器的技术领域实现大面积显示器。
然而,在LCD的情况下,存在有响应时间不快以及由背光源所生成的光的效率较低等问题,而在OLED的情况下,存在有寿命短、批量生产率低且效率低的缺点。
另一方面,若在显示器中使用具有100微米以下的直径或截面面积的半导体发光元件(微LED(uLED)),则由于在显示器中不使用偏光板等吸收光,因此能够提供非常高的效率。然而,大型显示器中需要数百万个半导体发光元件,因此与其他技术相比,具有难以转印元件的缺点。
作为转印工艺,目前正在开发着的技术包括拾取和放置(pickplace)、激光剥离法(Laser Lift-off,LLO)或自组装等。其中,自组装方法是半导体发光元件在流体中自主地寻找位置的方法,其是对大屏幕显示装置的实现具有最有利的方法。
近年来,美国授权专利第9,825,202号中公开了适用于自组装的微LED结构,但是针对通过微LED的自组装来制造显示器的技术的研究实际上是并不完善的。
并且,为了通过转印将微LED来制造显示器,需要有用于将电流或电压施加到每个微LED的电连接(即,配线),因此,可以提出一种在微LED的自组装中也考虑到配线的新型的结构和制造方法。
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的一目的在于,提供一种在使用具有微米尺寸的半导体发光元件的大屏幕显示器中具有高可靠性的新的制造工艺。
本发明的另一目的在于,提供一种在将半导体发光元件自组装到配线基板时能够对组装方向进行控制的显示器的制造工艺和结构。
解决问题的技术方案
在本发明的显示装置中,配线基板的容纳槽和半导体发光元件具有非对称形状,当利用这些自组装到水平芯片时,不仅能够确保组装方向,而且还能简化组装后的配线工艺。
更具体而言,所述显示装置包括:半导体发光元件;和具有用于容纳所述半导体发光元件的容纳槽的基板,所述半导体发光元件具备:第一导电型半导体层;第二导电型半导体层,其配置于所述第一导电型半导体层的上部;第一导电型电极,其配置于所述第一导电型半导体层;以及第二导电型电极,其配置于所述第二导电型半导体层,并且沿着水平方向与所述第一导电型电极隔开,若所述半导体发光元件组装到所述容纳槽,则所述第一导电型半导体层具有以至少一个方向为基准呈非对称的形状,使得所述第一导电型电极和所述第二导电型电极排列到预设位置。
在实施例中,所述第一导电型半导体层可以具有以垂直于所述一个方向的另一方向为基准呈对称的形状。所述第一导电型电极和所述第二导电型电极可以沿着所述另一方向配置成一排。
所述第一导电型半导体层的截面可以包括圆形部分和使所述圆形部分的两端相连接的直线部分。或者,所述第一导电型半导体层的截面的中心可以沿着所述另一方向偏向一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的