[发明专利]掩埋活化p-(Al,In)GaN层

权利要求书

1.制造包括掩埋活化p-(Al,In)GaN层的半导体结构的方法，包括：

(a)将镁掺杂的p-(Al,In)GaN层暴露于包括H₂、NH₃或其组合的气态混合物，以提供经暴露的镁掺杂的p-(Al,In)GaN层，其中所述气态混合物具有小于760Torr的H₂的分压；以及

(b)通过RPCVD在所述经暴露的镁掺杂的p-(Al,In)GaN层上生长n-(Al,In)GaN层，

从而提供包括掩埋活化p-(Al,In)GaN层的半导体结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中(b)生长所述n-(Al,In)GaN层包括在其中H₂的分压大于N₂的分压的环境中，通过RPCVD在所述经暴露的镁掺杂的p-(Al,In)GaN层上生长所述n-(Al,In)GaN层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中(b)生长所述n-(Al,In)GaN层包括在其中H₂的分压是0.1Torr至300Torr的环境中，通过RPCVD在所述经暴露的镁掺杂的p-(Al,In)GaN层上生长所述n-(Al,In)GaN层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(b)包括：

(b1)在其中N₂的分压大于H₂的分压的环境中，通过RPCVD在所述经暴露的镁掺杂的p-(Al,In)GaN层上生长第一n-(Al,In)GaN层；以及

(b2)在其中H₂的分压大于N₂的分压的环境中，通过RPCVD在所述第一n-(Al,In)GaN层上生长第二n-(Al,In)GaN层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(a)中，暴露所述镁掺杂的p-(Al,In)GaN层包括暴露于N₂等离子体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(a)之后进行步骤(b)，没有任何介于中间的步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，其中暴露包括将所述镁掺杂的p-(Al,In)GaN层暴露于小于300Torr的H₂的分压和高于700℃的温度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中

在步骤(a)中，所述H₂的分压为1Torr至300Torr；或者

其中在步骤(b)中，H₂的分压为0.1Torr至300Torr。

9.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(b)生长所述n-(Al,In)GaN层由以下组成：在其中H₂的分压大于N₂的分压的环境中，通过RPCVD在所述镁掺杂的p-(Al,In)GaN层上生长n-(Al,In)GaN层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中暴露包括将所述镁掺杂的p-(Al,In)GaN层暴露于小于300Torr的H₂的分压和高于900℃的温度。

11.根据权利要求1所述的方法，其中暴露所述镁掺杂的p-(Al,In)GaN层包括暴露小于5分钟。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述H₂的分压是1Torr至300Torr。

13.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(a)之后，将温度降低至400℃至1050℃并且其中H₂的分压是1Torr至300Torr。