[发明专利]气相生长装置的污染管理方法和外延晶片的制备方法

说明书

本发明的气相生长装置的污染管理方法包括：将污染评价用晶片搬入至气相生长装置的腔室的内部的晶片搬入工序；在1190℃以上的热处理温度下以30slm以下的氢流量热处理所述污染评价用晶片的热处理工序；从所述腔室的内部搬出所述污染评价用晶片的晶片搬出工序；和评价所述污染评价用晶片的金属污染度的晶片污染评价工序。本发明的外延晶片的制备方法是使用通过该污染管理方法进行污染管理的气相生长装置进行外延生长的方法。

技术领域

本发明涉及气相生长装置的污染管理方法和外延晶片的制备方法。

背景技术

近年来，随着内置于数字照相机或智能手机、移动PC等的照相机功能的高分辨率化，期望强化作为CCD或CIS等摄像元件用而使用的外延硅晶片的污染管理。

特别是，要求调查摄像元件特有的白色缺陷(白キズ)问题的原因和强化工序管理。目前，金属污染被认为是产生白色缺陷的原因。特别是Mo、W、Ti、Nb、Ta等扩散慢的金属被认为是主要原因。

作为外延硅晶片中的金属污染的污染源，可列举出在外延生长时使用的原料气体或用于清洁腔室内部的清洁气体。另外，可列举出构成腔室的原材料和通常用于配管系统的金属部件等。此外，可列举出来自外延生长装置的内部的例如驱动部的金属扬尘(金属発塵)。

作为管理由如上所述的外延生长装置引起的污染的方法，提出了通过提高反应体系中的氧浓度来强调污染，从而高灵敏度地检测金属污染的方法(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-029002号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在专利文献1所记载的方法中，由于高浓度地导入氧气，所以氢的爆炸极限、爆震极限也低，有导入氧气的操作困难的问题。另外，如专利文献1所示，认为通过强调污染(特别是Mo)而高灵敏度化至氧浓度为1000ppm(0.1%)的上限值也存在极限。

本发明的目的在于，提供可高灵敏度地检测Fe以外的金属污染的气相生长装置的污染管理方法。特别是，目的在于，提供通过强调Ti的金属污染，从而可高灵敏度地检测由Ti导致的金属污染的气相生长装置的污染管理方法。另外，本发明的目的在于，提供使用通过该污染管理方法进行了污染管理的气相生长装置来进行外延生长的外延晶片的制备方法。

用于解决课题的手段

本发明是本发明人根据以下推测进行深入研究而得到的技术：Mo、W、Ti、Nb、Ta等污染金属的氯化物的蒸气压比Fe氯化物的蒸气压低(特别是Ti氯化物比Fe氯化物低3位数左右)，并且在蒸气压的温度为1000℃~1250℃左右，上述污染金属(特别是Ti)的蒸气压的变化比Fe氯化物的蒸气压的变化大。

即，基于上述的研究，导出通过改变热处理温度和流入至气相生长装置内的氢的流量而使之优化，强调由推测蒸气压的变化程度大的金属元素导致的污染，进行测量并评价，由此可高灵敏度地管理气相生长装置，从而完成了本发明。

本发明的主要构成如下。

本发明的气相生长装置的污染管理方法的特征在于，所述方法包括：

将污染评价用晶片搬入至气相生长装置的腔室的内部的晶片搬入工序；

在1190℃以上的热处理温度下以30slm以下的氢流量热处理所述污染评价用晶片的热处理工序；

从所述腔室的内部搬出所述污染评价用晶片的晶片搬出工序；和

评价所述污染评价用晶片的金属污染度的晶片污染评价工序。