[发明专利]金属污染评价方法

权利要求书

1.金属污染评价方法，其特征在于：其是测定高速热处理装置中对硅晶片的金属污染量的金属污染评价方法，所述金属污染评价方法具备以下步骤：

通过提拉法以1.0mm/分钟以下的提拉速度进行培育，得到氧浓度为1.3×10¹⁸/cm³以下的单晶硅的步骤；

由上述单晶硅的除从头部起向中央侧40mm和从尾部起向中央侧40mm以外的区域切出硅晶片的步骤；

利用高速热处理装置对上述硅晶片进行热处理，使来自炉内部件的污染物质热转印至上述硅晶片的步骤；以及

对转印有污染物质的上述硅晶片进行寿命测定的步骤。

2.权利要求1所述的金属污染评价方法，其特征在于：

在利用高速热处理装置对上述硅晶片进行热处理，使来自炉内部件的污染物质热转印至上述硅晶片的步骤中，

在氧化性气体下、在1100℃以上且硅熔点以下的温度下保持1～60秒后，以5～150℃/秒的速度进行降温处理，在上述硅晶片上形成膜厚为2nm以上的氧化膜。

3.权利要求1或2所述的金属污染评价方法，其特征在于：

在上述对转印有污染物质的上述硅晶片进行寿命测定的步骤中，

在对上述硅晶片使用电晕充电作为钝化后，进行寿命测定。

4.权利要求1～3中任一项所述的金属污染评价方法，其特征在于：

在上述对转印有污染物质的上述硅晶片进行寿命测定的步骤中，

使用μPCD装置进行寿命测定。

5.权利要求1～4中任一项所述的金属污染评价方法，其特征在于：

在上述通过提拉法以1.0mm/分钟以下的提拉速度进行培育，得到氧浓度为1.3×10¹⁸/cm³以下的单晶硅的步骤中，

将掺杂剂浓度设为5×10¹⁴atoms/cm³以下。

6.权利要求1～5中任一项所述的金属污染评价方法，其特征在于，具备以下步骤：

在上述对转印有污染物质的上述硅晶片进行寿命测定的步骤后，

若将金属杂质的浓度设为y、将寿命值设为x，则将上述测定的寿命值代入下式的x中，求出金属杂质的浓度y：

[数学式2]

y=-4E+07·x+2E+11。