[发明专利]磁场施加偏置膜及使用其的磁检测元件及磁检测装置

权利要求书

1.一种磁场施加偏置膜，其具备交换耦合膜，该交换耦合膜具有强磁性层和层叠于所述强磁性层的反强磁性层，

所述磁场施加偏置膜的特征在于，

所述反强磁性层具备X(Cr-Mn)层，该X(Cr-Mn)层含有Mn和Cr、以及选自包括铂族元素和Ni的组中的一种或两种以上的元素X，

所述X(Cr-Mn)层具有距所述强磁性层相对较近的第一区域和距所述强磁性层相对较远的第二区域，

所述第一区域中的Mn的含量比所述第二区域中的Mn的含量高，

所述元素X为Pt，所述X(Cr-Mn)层为Pt(Cr-Mn)层，所述Pt(Cr-Mn)层由PtMn层和PtCr层形成，所述PtMn层由Pt和Mn构成的合金形成，所述PtCr层由Pt和Cr构成的合金形成。

2.根据权利要求1所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述第一区域与所述强磁性层相接。

3.根据权利要求1或2所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述第一区域具有Mn的含量对Cr的含量之比即Mn/Cr比为0.3以上的部分。

4.根据权利要求3所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述第一区域具有所述Mn/Cr比为1以上的部分。

5.根据权利要求1或2所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述反强磁性层通过层叠PtCr层和比所述PtCr层靠近所述强磁性层的X⁰Mn层而成，其中，X⁰为选自包括铂族元素和Ni的组中的一种或两种以上的元素。

6.根据权利要求1或2所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述反强磁性层是将PtCr层和PtMn层依次层叠为使所述PtMn层距所述强磁性层较近而成。

7.根据权利要求6所述的磁场施加偏置膜，其中，

在比所述PtMn层靠近所述强磁性层的位置进一步层叠有IrMn层。

8.一种磁场施加偏置膜，其具备交换耦合膜，该交换耦合膜具有强磁性层和层叠于所述强磁性层的反强磁性层，

所述磁场施加偏置膜的特征在于，

所述反强磁性层具有将X¹Cr层和X²Mn层交替地层叠的三层以上的交替层叠结构，其中，X¹为选自包括铂族元素和Ni的组中的一种或两种以上的元素，X²为选自包括铂族元素和Ni的组中的一种或两种以上的元素且与X¹相同或者不同，

所述X¹为Pt，所述X¹Cr层为由Pt和Cr构成的合金形成的PtCr层，所述X²为Pt，所述X²Mn层为由Pt和Mn构成的合金形成的PtMn层。

9.根据权利要求8所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述反强磁性层具有层叠了多个包括X¹Cr层和X²Mn层的单元而成的单元层叠部。

10.根据权利要求9所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述单元层叠部中的所述X¹Cr层和所述X²Mn层分别为相同的膜厚，所述X¹Cr层的膜厚大于所述X²Mn层的膜厚。

11.根据权利要求10所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述X¹Cr层的膜厚与所述X²Mn层的膜厚之比为5∶1～100∶1。