[发明专利]基于温度的存储器操作有效

专利信息
申请号: 201880083521.4 申请日: 2018-12-05
公开(公告)号: CN111527545B 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: E·孔法洛涅里;S·拉蒂;G·G·拉扎罗威克斯;S·F·席佩斯;S·C·罗赛吉尼;A·C·斯卡迪利亚 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C7/04 分类号: G11C7/04;G11C11/56;G06F3/06
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 基于 温度 存储器 操作
【说明书】:

描述了可以用于提供基于温度的存储器操作的设备、方法和装置。一或多个设备可以包含存储器装置和控制器,所述控制器耦合到所述存储器装置并且被配置为:确定所述设备的工作温度,基于所述设备的所述工作温度和数据的大小来确定所述存储器装置的多个指定开放块中的一个来写入所述数据,以及将所述数据写入所述存储器装置的所述多个指定块中的所述所确定块。

技术领域

本公开总体上涉及半导体存储器装置和方法,并且更具体地涉及可以用于提供基于温度的存储器操作的设备和方法。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在数个不同类型的存储器,其包含易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维护其数据,并且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可以通过在不通电时保留存储的信息来提供持久数据,并且可以包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)和相变随机存取存储器(PCRAM)等等。存储器可以包括可编程为单级单元(SLC)和/或多级单元(MLC)的存储器单元。

用于一些应用(例如,汽车、航空或监控)的存储器可能具有可变的工作温度。这些可变的工作温度可以包含大范围的温度。一些存储器(例如,NAND快闪存储器)可能对温度敏感,使得温度变化可能影响数据可靠性。例如,在第一温度下写入数据然后在与第一温度不同的第二温度下读取数据与在同一温度下先写入数据然后读取数据相比可能会导致原始误码率(RBER)升高。

发明内容

本申请的一方面涉及一种设备,包括:存储器装置;以及控制器,所述控制器耦合到所述存储器装置并且被配置为:确定所述设备的工作温度;基于所述设备的所述工作温度来确定所述存储器装置的多个指定开放块中的一个来写入数据;以及将所述数据写入所述存储器装置的所述多个指定块中的所述所确定块。

本申请的另一方面涉及一种用于基于温度的存储器操作的方法,包括:接收将数据写入存储器设备的请求,所述存储器设备包括可充当单级单元(SLC)和可充当多级单元(MLC)的存储器单元;确定与所述存储器设备相关联的温度;以及基于所述所确定的温度来选择多个开放块中要对其执行写操作的一个开放块;并且其中从所保持的多个开放块中选择所述多个开放块中的所述选定开放块,所述所保持的多个开放块包含被指定为SLC块并且与相应的多个不同温度范围相对应的多个开放块。

本申请的又一方面涉及一种用于提供基于温度的存储器操作的方法,包括:确定在第一时间实例处车辆的存储器装置的第一工作温度;基于所述存储器装置的所述工作温度和数据大小,响应于写入请求,将所述数据写入所述存储器装置的多个指定开放块中的一个,其中所述多个块包含:第一块类型的第一块,所述第一块对应于低于第一温度阈值的第一工作温度范围;所述第一块类型的第二块,所述第二块对应于高于第二温度阈值的第二工作温度范围;所述第一块类型的第三块,所述第三块对应于高于所述第一温度阈值并低于所述第二温度阈值的第三工作温度范围,并且对应于低于数据大小阈值的数据大小;以及第二块类型的第四块,所述第四块对应于所述第三工作温度范围并且对应于高于数据大小阈值的数据大小;确定在第二时间实例处所述车辆的所述存储器装置的第二工作温度;以及响应于确定所述第二工作温度在所述第三工作温度范围内,将数据从所述第一块类型的封闭块折叠到所述第二块类型的至少一个空闲块。

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