[发明专利]显示装置

权利要求书

1.显示装置，其形成有多个具有由氧化物半导体构成的薄膜晶体管(TFT)的像素，所述显示装置的特征在于，

在所述氧化物半导体之上形成有栅极绝缘膜，

在所述栅极绝缘膜之上形成有氧化铝膜，

在所述氧化铝膜之上形成有栅电极，

在所述栅电极的两侧形成有侧壁间隔件，

以覆盖所述栅电极、所述侧壁间隔件以及源极及漏极的方式形成有层间绝缘膜，

在俯视观察时，在连结所述漏极与所述源极的方向上，所述栅电极的宽度小于所述氧化铝膜的宽度，

所述氧化物半导体中形成有沟道，在所述沟道的两侧形成有所述漏极及所述源极，在所述沟道与所述漏极之间及所述沟道与所述源极之间形成有中间区域，

在所述氧化物半导体的所述沟道与所述中间区域之上形成有栅极绝缘膜，

在所述沟道的上方且在所述氧化铝膜之上形成有栅电极，

所述沟道具有沟道长度和沟道宽度，在将所述侧壁间隔件的与所述氧化铝膜接触的一侧设为底部、将所述侧壁间隔件的与所述底部相反的一侧设为上部时，所述底部在所述沟道长度方向上的长度大于所述上部在所述沟道长度方向上的长度。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在俯视观察时，在所述氧化物半导体与所述栅电极和所述氧化铝膜相接触的部分重叠的部分形成有所述沟道，同样地，在所述氧化物半导体与所述侧壁间隔件和所述氧化铝膜相接触的部分重叠的部分形成有所述中间区域。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述层间绝缘膜与所述氧化物半导体的所述漏极及所述源极直接接触。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述层间绝缘膜中与所述漏极及所述源极接触的部分由SiN形成。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述层间绝缘膜的氢含量大于所述侧壁间隔件的氢含量。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体中的氢含量的顺序为所述沟道＜所述中间区域＜漏极及源极。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述底部在所述沟道长度方向上的长度比所述上部在所述沟道长度方向上的长度大0.3μm以上。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述侧壁间隔件的高度为100nm至500nm。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述侧壁间隔件的与所述层间绝缘膜接触的一侧的侧面成为倾斜面。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体的所述漏极及所述源极由所述栅极绝缘膜覆盖，所述层间绝缘膜与所述栅极绝缘膜接触。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述层间绝缘膜的与所述栅极绝缘膜接触的部分由SiN形成。

12.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述层间绝缘膜的氢含量大于所述侧壁间隔件的氢含量。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为有机EL显示装置。

14.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为液晶显示装置。