[发明专利]针对原位电磁感应监测的边缘重建中的基板掺杂的补偿在审
申请号: | 201880083574.6 | 申请日: | 2018-09-26 |
公开(公告)号: | CN111886686A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | D·A·伊万诺夫;许昆;D·M·盖奇;H·Q·李;H·G·伊拉瓦尼;D·E·本内特;K·L·什里斯塔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;B24B1/00;H01L21/30;H01L21/321 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 针对 原位 电磁感应 监测 边缘 重建 中的 掺杂 补偿 | ||
1.一种研磨基板的方法,包括:
存储或产生经修改的参考迹线,所述经修改的参考迹线表示通过神经网络修改的由原位电磁感应监测系统对裸掺杂的参考半导体晶片的测量,
使具有安置在半导体晶片之上的导电层的基板与研磨垫接触;
产生所述基板与所述研磨垫之间的相对运动;
当研磨所述导电层时利用所述原位电磁感应监测系统来监测所述基板,以产生取决于所述导电层的厚度的测得迹线;
将所述测得迹线的至少一部分应用于神经网络以产生经修改的测得迹线;
产生经调整迹线以至少部分地补偿所述半导体晶片的电导率对所述测得迹线的贡献,包括自所述经修改的测得迹线中减去所述经修改的参考迹线;以及
进行基于所述经调整迹线暂停研磨或修改研磨参数中的至少一者。
2.如权利要求1所述的方法,包括:利用原位电磁感应监测系统的传感器来扫描所述裸掺杂的参考半导体晶片,以产生具有原始信号值的初步参考迹线,将所述初步参考迹线中的原始信号值转换为厚度值以产生初始参考迹线,以及将所述初始参考迹线的至少一部分应用于所述神经网络以产生所述经修改的参考迹线。
3.如权利要求1所述的方法,其中产生所述经修改的参考迹线的步骤包括:横跨所述裸掺杂的参考半导体晶片扫描原位电磁感应监测系统的传感器。
4.如权利要求1所述的方法,其中产生所述经调整迹线包括:缩放所述经修改的参考迹线与所述经修改的测得迹线之间的差。
5.如权利要求4所述的方法,其中计算所述经调整迹线A(x)以使得
A(x)=(T(x)-S(x)-b)/k
其中T(x)为所述经修改的测得迹线,S(x)为所述经修改的参考迹线,且b及k为常数。
6.如权利要求1所述的方法,其中应用于所述神经网络的所述测得迹线的所述至少一部分包括对应于所述基板的边缘区域的部分。
7.如权利要求1所述的方法,包括:用多个训练迹线训练所述神经网络,所述多个训练迹线表示一个或更多个训练基板的测量,所述一个或更多个训练基板具有在未掺杂的半导体晶片上的导电层,其中不同训练迹线对应于所述导电层的不同厚度及不同的边缘轮廓。
8.一种有形地体现在非暂态计算机可读介质中的计算机程序产品,包括指令以使得一个或多个计算机用于:
存储或产生经修改的参考迹线,所述经修改的参考迹线表示通过神经网络修改的由原位电磁感应监测系统对裸掺杂的参考半导体晶片的测量;
当研磨基板上的导电层时,自原位电磁感应监测系统接收取决于所述导电层的厚度的测得迹线;
经由神经网络处理所述测得迹线的至少一部分以产生经修改的测得迹线;
产生经调整迹线以至少部分地补偿所述半导体晶片的电导率对所述测得迹线的贡献,其中用于产生所述经调整迹线的所述指令包括用于自所述经修改的测得迹线中减去所述经修改的参考迹线的指令;以及
进行基于所述经调整迹线暂停研磨或修改研磨参数中的至少一者。
9.如权利要求8所述的计算机程序产品,其中用于产生所述经调整迹线的所述指令包括用于缩放所述经修改的参考迹线与所述经修改的测得迹线之间的差的指令。
10.如权利要求9所述的计算机程序产品,其中计算所述经调整迹线A(x)以使得
A(x)=(T(x)-S(x)-b)/k
其中T(x)为所述经修改的测得迹线,S(x)为所述经修改的参考迹线,且b及k为常数。
11.如权利要求8所述的计算机程序产品,其中应用于所述神经网络的所述测得迹线的所述至少一部分包括对应于所述基板的边缘区域的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造