[发明专利]半导体组件

权利要求书

1.一种半导体组件(1)，包括：具有第一触点(3)的半导体元件(2)、具有第二触点(5)的载体元件(4)、以及冷却体(6)，其中

-所述第一触点(3)布置在所述半导体元件(2)的朝向所述载体元件(4)的第一表面(7)上，所述第一触点借助于导电材料(8)与所述载体元件(4)的所述第二触点(5)电连接，

-所述半导体元件(2)在背向所述第一表面(7)的第二表面(9)上具有带有第一半径(11)的凸形拱(10)或带有第二半径(13)的凹形拱(12)，

-所述半导体元件(2)在所述凸形拱(10)的所述第二表面(9)处与所述冷却体(6)的凹形冷却体拱(15)的冷却体表面(14)形状配合地连接，并且在选定的阻挡层温度(T_J)下运行时所述凸形拱(10)的所述第一半径(11)与所述凹形冷却体拱(15)的第三半径(16)偏差最多10％，或者

-所述半导体元件(2)在所述凹形拱(12)的所述第二表面(9)处与所述冷却体(6)的凸形冷却体拱(17)的冷却体表面(14)形状配合地连接，并且在选定的阻挡层温度(T_J)下运行时所述凹形拱(12)的所述第二半径(13)与所述凸形冷却体拱(17)的第四半径(18)偏差最多10％。

2.根据权利要求1所述的半导体组件(1)，其中，所述半导体元件(2)能够利用从一个值范围中选定的阻挡层温度(T_J)运行，该值范围在所述半导体元件(2)的最大阻挡层温度的50％与所述半导体元件(2)的最大阻挡层温度之间并且包括所述最大阻挡层温度的50％和所述最大阻挡层温度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体组件(1)，其中，所述半导体元件(2)的第一热膨胀系数小于所述载体元件(4)的第二热膨胀系数。

4.根据权利要求1或2所述的半导体组件(1)，其中，由导热剂来补偿在所述半导体元件(2)的所述凸形拱(10)的所述第二表面(9)的材料和/或所述冷却体(6)的所述凹形冷却体拱(15)的所述冷却体表面(14)的材料中的不平整。

5.根据权利要求1或2所述的半导体组件(1)，其中，所述半导体元件(2)的第一热膨胀系数大于所述载体元件(4)的第二热膨胀系数。

6.根据权利要求1或2所述的半导体组件(1)，其中，由导热剂来补偿在所述半导体元件(2)的所述凹形拱(12)的所述第二表面(9)的材料和/或所述冷却体(6)的所述凸形冷却体拱(17)的所述冷却体表面(14)的材料中的不平整。

7.一种变流器(19)，具有根据权利要求1至6中任一项所述的半导体组件(1)，其中，所述变流器(19)能够与电网(20)和电机(21)电连接，并且其中，所述变流器(19)能够借助于来自所述电网(20)的电能运行所述电机(21)。