[发明专利]比行业标准方形更长的半导体晶片

权利要求书

1.一种处置半导体晶片的方法，所述方法包括：

a.提供矩形半导体晶片，所述矩形半导体晶片具有第一边缘和第二边缘，所述第一边缘具有等于行业标准尺寸A的宽度尺寸w，所述第二边缘具有比所述第一边缘的尺寸更大的长度尺寸L，使得L等于A+x，其中x至少为三mm；

b.提供尺寸设置成处置和加工行业标准尺寸A晶片的半导体晶片加工设备，所述加工设备具有尺寸设置成保持晶片的晶片保持部分，所述晶片具有第一边缘，所述第一边缘具有等于行业标准尺寸A的宽度尺寸w，且所述加工设备具有还容纳带有具有长度尺寸L的第二边缘的所述晶片的构造；

c.将所述晶片提供给晶片加工设备保持部分，使得具有宽度尺寸w的所述第一边缘保持在所述保持部分中，且使得还容纳并因此处置具有长度尺寸L的所述第二边缘。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶片加工设备包括边缘支承设备。

3.根据权利要求1-2所述的方法，其特征在于，所述晶片加工设备包括平面支承设备。

4.根据权利要求1-3所述的方法，其特征在于，所述晶片加工设备包括检查站，所述检查站包括可移动带，所述可移动带布置成在行进方向上移动，且

其中将所述晶片提供给所述晶片加工设备的步骤包括将所述晶片放置在所述带上，使得具有长度尺寸L的所述边缘平行于所述行进方向布置。

5.根据权利要求1-4所述的方法，其特征在于，所述检查站包括引导壁，且

其中将所述晶片提供给所述晶片加工设备的步骤还包括将所述晶片放置在所述带上，使得具有长度尺寸w的所述边缘垂直于所述行进方向布置，且使得所述晶片装配在所述引导壁之间。

6.根据权利要求1-5所述的方法，其特征在于，所述晶片加工设备包括湿加工站，所述湿加工站包括湿加工载体，所述湿加工载体包括晶片保持部分，所述晶片保持部分包括底部支承件和成对边缘支承件，其中的每个具有与所述底部支承件相邻的下部以及与所述底部支承件间隔开的上部，其中所述上部在第一方向上与所述底部支承件间隔开，且所述成对边缘支承件在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开一定距离，所述距离尺寸设置成将尺寸A的标准晶片牢固地保持在成对支承件之间，在由所述支承件和所述成对边缘支承件界定的体积中还存在开放空间，且所述开放空间在所述第一方向上远离所述支承件延伸至少与L一样大的距离，且

其中将所述晶片提供给所述晶片加工设备的步骤包括将所述晶片放置在所述载体中，使得具有长度尺寸L的所述边缘平行于所述第一方向布置，且使得具有宽度尺寸w的所述边缘布置成装配在所述成对边缘支承件之间。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述成对边缘支承件包括成对轨道。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述成对边缘支承件包括成对壁。

9.根据权利要求1-3所述的方法，其特征在于，所述晶片加工设备包括湿台运输站，所述湿台运输站包括可移动带，所述可移动带布置成在行进方向上移动，且

其中将所述晶片提供给所述晶片加工设备的步骤包括将所述晶片放置在所述带上，使得具有长度尺寸L的所述边缘平行于所述行进方向布置。

10.根据权利要求1-9所述的方法，其特征在于，所述晶片加工设备包括湿台运输站，所述湿台运输站包括辊，所述辊布置成在行进方向上移动，且

其中将所述晶片提供给所述晶片加工设备的步骤包括将所述晶片放置在所述辊上，使得具有长度尺寸L的所述边缘平行于所述行进方向布置。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述湿台运输站包括引导套环，且

其中将所述晶片提供给所述晶片加工设备的步骤还包括将所述晶片放置在所述带上，使得具有长度尺寸w的所述边缘垂直于所述行进方向布置，且使得所述晶片装配在所述引导套环之间。