[发明专利]隧道磁阻效应膜以及使用其的磁装置

权利要求书

1.一种隧道磁阻效应元件，具有含有强磁性层的固定磁性层以及自由磁性层隔着绝缘障壁层被层叠的构造，该隧道磁阻效应元件的特征在于，

所述强磁性层和在所述强磁性层层叠的反强磁性层构成交换耦合膜，

所述反强磁性层具备X(Cr-Mn)层，该X(Cr-Mn)层含有从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种或者两种以上的元素X、以及Mn及Cr，

所述X(Cr-Mn)层具有：距所述强磁性层相对较近的第1区域、和距所述强磁性层相对较远的第2区域，

所述第1区域中的Mn含有量高于所述第2区域中的Mn含有量。

2.根据权利要求1所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述第1区域与所述强磁性层相接。

3.根据权利要求1或2所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述第1区域具有Mn含有量相对于Cr含有量的比即Mn/Cr比是0.3以上的部分。

4.根据权利要求3所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述第1区域具有所述Mn/Cr比为1以上的部分。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述反强磁性层构成为层叠PtCr层、和与所述PtCr层相比距所述强磁性层近的X⁰Mn层，其中，X⁰是从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种或者两种以上的元素。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述反强磁性层构成为PtCr层和PtMn层按该顺序被层叠以使得所述PtMn层距所述强磁性层近。

7.根据权利要求6所述的隧道磁阻效应元件，其中，

与所述PtMn层相比距所述强磁性层近地进一步层叠IrMn层。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述隧道磁阻效应元件是在基板上形成的，

所述固定磁性层被层叠为从所述基板观察比所述自由磁性层近。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述隧道磁阻效应元件是在基板上形成的，

所述固定磁性层被层叠为从所述基板观察比所述自由磁性层远。

10.一种隧道磁阻效应元件，具有含有强磁性层的固定磁性层以及自由磁性层隔着绝缘障壁层被层叠的构造，其中，

所述强磁性层和在所述强磁性层层叠的反强磁性层构成交换耦合膜，

所述反强磁性层具有X¹Cr层和X²Mn层被交替地层叠的三层以上的交替层叠构造，其中，X¹是从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种或者两种以上的元素，X²是从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种或者两种以上的元素，且能与X¹相同或者不同。

11.根据权利要求10所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述X¹是Pt，所述X²是Pt或者Ir。

12.根据权利要求10或11所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述反强磁性层具有单元层叠部，该单元层叠部层叠多个由X¹Cr层和X²Mn层构成的单元。

13.根据权利要求12所述的隧道磁阻效应元件，其中，

所述单元层叠部中的所述X¹Cr层以及所述X²Mn层分别是相同的膜厚，所述X¹Cr层的膜厚大于所述X²Mn层的膜厚。