[发明专利]二次电池在审

专利信息
申请号: 201880084007.2 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN111527635A 公开(公告)日: 2020-08-11
发明(设计)人: 德田夕辉;武泽秀治;小川裕子;奥田泰之 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01M10/04 分类号: H01M10/04;H01M2/26;H01M2/34;H01M4/02;H01M4/13;H01M10/0587
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 二次 电池
【权利要求书】:

1.一种二次电池,其中,

该二次电池包括电极组和电解质,

所述电极组包括正极、负极、介于所述正极与所述负极之间的隔膜以及与所述正极电连接的正极引线,

所述正极和所述负极隔着所述隔膜相对配置并且进行卷绕,

所述正极包括正极集电体和担载于所述正极集电体的两个主面的正极活性物质层,

所述正极集电体具有未担载所述正极活性物质层的第1暴露部,

所述正极引线连接于所述第1暴露部,

所述负极包括负极集电体和担载于所述负极集电体的两个主面的负极活性物质层,并且所述负极具有第1区域和第2区域,

所述第1区域的所述负极活性物质层的每单位面积的质量比所述第2区域的所述负极活性物质层的每单位面积的质量小,

所述第1区域与所述正极引线相对。

2.根据权利要求1所述的二次电池,其中,

该二次电池具备覆盖所述正极引线的第1绝缘构件,

所述第1区域与所述第2区域的分界位于所述正极引线的端部与所述第1绝缘构件的端部之间。

3.根据权利要求2所述的二次电池,其中,

所述第1绝缘构件覆盖所述第1暴露部,

所述第1区域与所述第2区域的分界位于所述正极引线的端部与所述第1暴露部的端部之间。

4.根据权利要求3所述的二次电池,其中,

所述第1绝缘构件覆盖所述正极活性物质层的一部分。

5.根据权利要求2~4中任一项所述的二次电池,其中,

所述第1区域隔着所述隔膜和所述第1绝缘构件而与所述正极引线相对。

6.根据权利要求2~4中任一项所述的二次电池,其中,

所述正极集电体具有与所述第1暴露部相对应地配置并且未担载所述正极活性物质层的第2暴露部,

所述第2暴露部被第2绝缘构件覆盖,

所述第1区域隔着所述隔膜、所述第2绝缘构件以及所述正极集电体而与所述正极引线相对。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的二次电池,其中,

所述正极引线被所述负极夹持。

8.一种二次电池,其中,

该二次电池包括电极组和电解质,

所述电极组包括正极、负极、介于所述正极与所述负极之间的隔膜以及与所述正极电连接的正极引线,

所述正极和所述负极隔着所述隔膜相对配置并且进行卷绕,

所述正极包括正极集电体和担载于所述正极集电体的两个主面的正极活性物质层,

所述正极集电体具有未担载所述正极活性物质层的第1暴露部,

所述正极引线连接于所述第1暴露部,

所述负极包括负极集电体和担载于所述负极集电体的两个主面的负极活性物质层,并且所述负极具有第1区域和第2区域,

在所述第1区域,所述负极集电体暴露,

所述第1区域与所述正极引线相对。

9.根据权利要求8所述的二次电池,其中,

该二次电池具备覆盖所述正极引线的第1绝缘构件,

所述第1区域与所述第2区域的分界位于所述正极引线的端部与所述第1绝缘构件的端部之间。

10.根据权利要求9所述的二次电池,其中,

所述第1绝缘构件覆盖所述第1暴露部,

所述第1区域与所述第2区域的分界位于所述正极引线的端部与所述第1暴露部的端部之间。

11.根据权利要求10所述的二次电池,其中,

所述第1绝缘构件覆盖所述正极活性物质层的一部分。

12.根据权利要求9~11中任一项所述的二次电池,其中,

所述第1区域隔着所述隔膜和所述第1绝缘构件而与所述正极引线相对。

13.根据权利要求9~11中任一项所述的二次电池,其中,

所述正极集电体具有与所述第1暴露部相对应地配置并且未担载所述正极活性物质层的第2暴露部,

所述第2暴露部被第2绝缘构件覆盖,

所述第1区域隔着所述隔膜、所述第2绝缘构件以及所述正极集电体而与所述正极引线相对。

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