[发明专利]电磁波吸收体、带有电磁波吸收体的物品、及电磁波吸收体的制造方法在审
申请号: | 201880084168.1 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN111557129A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 山形一斗;待永广宣;请井博一;宇井丈裕 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;B32B3/14;B32B7/025 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁波 吸收体 带有 物品 制造 方法 | ||
1.一种电磁波吸收体,其具备:
电阻层;
具有比所述电阻层的薄层电阻更低的薄层电阻的导电层;和
配置于所述电阻层与所述导电层之间的电介质层,
所述电磁波吸收体具有第一狭缝及第二狭缝中的至少1者,
所述第一狭缝在所述电阻层中从相对于所述电介质层处于远端的第一主表面沿与所述第一主表面垂直的方向朝向所述电介质层延伸,并且将所述电阻层划分成多个第一区块,
所述第二狭缝在所述导电层中从相对于所述电介质层处于远端的第二主表面沿与所述第二主表面垂直的方向朝向所述电介质层延伸,并且将所述导电层划分成多个第二区块,
所述第一区块在所述第一主表面中的最小尺寸为2mm以上,
所述第二区块在所述第二主表面中的最小尺寸为1mm以上。
2.根据权利要求1所述的电磁波吸收体,其中,具有所述第二狭缝,
所述第二主表面为水平时,所述第二主表面中的所述多个第二区块的面积为所述多个第二区块的所述面积与所述第二狭缝的开口面积之和的90%以上。
3.根据权利要求1或2所述的电磁波吸收体,其中,具有多个所述第一狭缝,
所述多个所述第一狭缝包括第一狭缝组,所述第一狭缝组包含在所述第一主表面彼此平行的多个所述第一狭缝,
所述第一区块在所述第一主表面中的所述最小尺寸为20mm以下。
4.根据权利要求3所述的电磁波吸收体,其中,所述多个所述第一狭缝还包括第二狭缝组,所述第二狭缝组包含在所述第一主表面彼此平行、并且与所述第一狭缝组中包含的所述多个所述第一狭缝相交的多个所述第一狭缝。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的电磁波吸收体,其中,具有多个所述第二狭缝,
所述多个所述第二狭缝包括第三狭缝组,所述第三狭缝组包含在所述第二主表面彼此平行的多个所述第二狭缝,
所述第二区块在所述第二主表面中的所述最小尺寸为20mm以下。
6.根据权利要求5所述的电磁波吸收体,其中,所述多个所述第二狭缝还包括第四狭缝组,所述第四狭缝组包含在所述第二主表面彼此平行、并且与所述第三狭缝组中包含的所述多个所述第二狭缝相交的多个所述第二狭缝。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的电磁波吸收体,其中,所述电阻层具有120~800Ω/□的薄层电阻。
8.一种带有电磁波吸收体的物品,其具备:
具有曲面或拐角的物品;和
贴附于所述曲面的、或跨越所述拐角而贴附的权利要求1~7中任一项所述的电磁波吸收体。
9.一种电磁波吸收体的制造方法,其中,
提供电阻层,
提供具有比所述电阻层的薄层电阻更低的薄层电阻的导电层,
将电介质层配置于所述电阻层与所述导电层之间,
形成第一狭缝及第二狭缝中的至少1者,
所述第一狭缝在所述电阻层中从相对于所述电介质层处于远端的第一主表面沿与所述第一主表面垂直的方向朝向所述电介质层延伸,并且将所述电阻层划分成多个第一区块,
所述第二狭缝在所述导电层中从相对于所述电介质层处于远端的第二主表面沿与所述第二主表面垂直的方向朝向所述电介质层延伸,并且将所述导电层划分成多个第二区块,
所述第一区块在所述第一主表面中的最小尺寸为2mm以上,
所述第二区块在所述第二主表面中的最小尺寸为1mm以上。
10.根据权利要求9所述的制造方法,其中,连续地形成所述电阻层、并对连续形成的所述电阻层进行切缝而形成所述第一狭缝,或者在所述第一主表面非连续地形成所述电阻层从而形成所述第一狭缝。
11.根据权利要求9所述的制造方法,其中,连续地形成所述导电层、并对连续形成的所述导电层进行切缝从而形成所述第二狭缝,或者在所述第二主表面非连续地形成所述导电层从而形成所述第二狭缝。
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