[发明专利]通过使用可分离结构来转移层的方法有效
申请号: | 201880084209.7 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN111527590B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | M·布鲁尔 | 申请(专利权)人: | 索泰克公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/78;H01L21/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 相迎军;王小东 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 使用 可分离 结构 转移 方法 | ||
1.一种用于从可分离结构(100)转移表层(30)的转移方法,所述转移方法包括以下步骤:
a)供应所述可分离结构(100),所述可分离结构(100)包括:
支撑基底(10);
可分离层(20),所述可分离层(20)沿着主平面(x,y)布置在所述支撑基底(10)上并且包括彼此分开的多个壁(21),各个壁(21)具有垂直于所述主平面(x,y)的至少一个侧面;
表层(30),所述表层(30)沿着所述主平面(x,y)布置在所述可分离层(20)上,
b)施加机械力,所述机械力被配置成致使所述壁(21)沿着所述侧面的割线方向弯曲,直到致使所述壁(21)机械断裂为止,以便使所述表层(30)从所述支撑基底(10)分离,
其中,步骤a)包括通过在所述可分离层(20)上组装供体基底(3)并且通过减薄所述供体基底(3)以便形成所述表层(30)来将所述表层(30)转移到所述可分离层(20)上。
2.根据权利要求1所述的转移方法,其中,将所述壁(21)根据预限定的网格分布在所述主平面(x,y)中。
3.根据权利要求2所述的转移方法,其中,壁(21)的所述预限定的网格使得所述主平面(x,y)中存在与各个壁(21)的一个侧面形成非零角度的至少一个横向方向(DT)。
4.根据权利要求3所述的转移方法,其中,各个壁(21)包括由所述壁的长度(L)和高度(h)限定的两个纵向侧面以及由所述壁(21)的宽度(l)和所述高度(h)限定的两个横向侧面,所述纵向侧面和所述横向侧面垂直于所述主平面(x,y)。
5.根据权利要求4所述的转移方法,其中,各个壁(21)的所述长度(L)大于各个壁(21)的所述宽度(l),并且其中,所述横向方向(DT)与各个壁(21)的纵向侧面形成非零角度。
6.根据权利要求3至5中的任一项所述的转移方法,其中,步骤b)的所述机械力是沿着所述横向方向(DT)施加到所述可分离层(20)的剪切力。
7.根据权利要求6所述的转移方法,其中,所述剪切力借助于辊(5)施加,所述辊(5)以特定的挤压力在所述主平面(x,y)中沿着所述横向方向(DT)在所述可分离结构(100)上逐渐前进。
8.根据权利要求3至5中的任一项所述的转移方法,其中,步骤b)的所述机械力是沿着所述横向方向(DT)施加到所述可分离结构(100)的冲击。
9.根据权利要求3至5中的任一项所述的转移方法,其中,步骤b)的所述机械力是沿着所述横向方向(DT)施加到所述可分离结构(100)并且能够使所述壁(21)振荡的振动波。
10.根据权利要求1至5中的任一项所述的转移方法,其中,各个壁(21)具有在所述主平面(x,y)中的在0.1微米至10微米之间的宽度(l)。
11.根据权利要求1至5中的任一项所述的转移方法,其中,各个壁(21)的在所述支撑基底(10)附近的下部(212)处的宽度小于各个壁(21)的在所述表层(30)附近的上部(211)处的宽度。
12.根据权利要求1至5中的任一项所述的转移方法,其中,所述壁(21)具有垂直于所述主平面(x,y)的在0.5微米至5微米之间的高度(h)。
13.根据权利要求1至5中的任一项所述的转移方法,其中,各个壁(21)具有在所述主平面(x,y)中的宽度(l)和垂直于所述主平面(x,y)的高度(h),并且其中,高度与宽度之比大于1。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司,未经索泰克公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880084209.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:利用超声波的医用三维线制造方法及制造装置
- 下一篇:热水垫和灭菌模块
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造