[发明专利]具有减小的寄生电容的体声波谐振器的制造方法

权利要求书

1.一种用于结构的制造方法，所述结构至少包括第一功能叠层和第二功能叠层，所述第一叠层包括至少一个第一层，所述第一层包括第一元件和第一部分，所述第二叠层包括至少一个第二层，所述第二层包括至少第二元件和第二部分，所述第一元件和所述第二元件形成对准部分，所述方法包括：

a)提供第一叠层，所述第一叠层包括第一层，所述第一层包括所述第一元件和所述第一部分，

b)在所述第一叠层上形成第二层，所述第二层包括所述第二元件和所述第二部分，使得所述第一元件和所述第二元件形成对准部分，以及形成第一结合层，

c)提供所述第二功能叠层，所述第二功能叠层至少包括第二结合层和压电材料层，

d)组装所述第一功能叠层和所述第二功能叠层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，包括在步骤c)之后的在所述第二部分上形成第三元件使得所述第二元件和所述第三元件形成对准部分的步骤e)。

3.根据权利要求1或者2所述的制造方法，其中，步骤d)的组装是直接结合。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的制造方法，其中，所述结合层是介电材料结合层。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的制造方法，其中，所述第二层的所述第二元件是电极。

6.根据前述权利要求中的一项所述的制造方法，其中，所述叠层之一是换能器，并且所述叠层中的另一个形成用于所述换能器的频率调谐装置。

7.根据权利要求1至6中的一项所述的制造方法，其中，所述第一结合层和所述第二结合层使得形成厚度在10nm至50nm之间的中间层。

8.根据权利要求1至7中的一项所述的制造方法，其中，步骤c)和e)的所述对准部分是通过在光刻步骤期间实施掩模对准器或者光中继器而获得的。

9.根据权利要求1至8中的一项与权利要求2相结合的制造方法，其中，所述第一叠层包括至少两个限定的导电部分，所述限定的导电部分在压电材料层的任一侧上形成限定的电极，并且所述第二元件和所述第三元件形成在所述第二叠层的所述压电材料层的任一侧上限定的第一电极和第二电极，其中所述第一叠层或者所述第二叠层形成体声波谐振器，并且所述第二叠层或者所述第一叠层形成用于调谐所述谐振器的装置，以便制造可调节的体声波谐振器。

10.根据权利要求9所述的制造方法，包括在形成所述第三元件之前的去除所述第二叠层的所述压电材料层的给定厚度的部分直至给定厚度的步骤c1)。

11.根据前述权利要求所述的制造方法，其中，步骤c1)是通过使所述第二叠层的所述压电材料层断裂来实现的，所述压电材料层预先已经进行过离子注入，所述离子注入的深处比所述第一叠层的所述压电材料层的所述给定厚度略高。

12.根据权利要求9至11中的一项所述的制造方法，包括在所述第一叠层的所述限定的导电部分之一上形成电绝缘层的步骤。

13.根据权利要求9至12中的一项所述的制造方法，其中，在步骤a)期间，所述第一叠层包括支撑所述电极和所述第一压电材料层的支撑衬底。

14.根据权利要求13所述的制造方法，包括例如通过蚀刻牺牲层来结构化所述支撑衬底以在所述谐振器下方形成空腔的步骤f)。

15.根据权利要求9至14中的一项所述的制造方法，其中，在步骤a)期间，所述第一压电材料层通过离子注入和断裂来制造。