[发明专利]半导体装置、其制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

第一布线层和第二布线层，均包括金属膜，所述第一布线层和所述第二布线层隔着用于防止所述金属膜扩散的防扩散膜层叠，其中，

所述防扩散膜是通过将所述第二膜埋在形成于所述第一膜中的多个孔中而构成，

至少所述第一布线层包括所述金属膜、气隙和在所述气隙的内周面上由所述第二膜形成的保护膜，并且

所述气隙的开口宽度等于形成于所述第一膜中的所述孔的开口宽度，或者大于所述孔的所述开口宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一布线层在彼此相邻的两个所述金属膜之间具有多个所述气隙。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一布线层还包括在彼此相邻的两个所述气隙之间的绝缘膜。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一布线层在彼此相邻的两个所述金属膜之间的整个区域中具有所述气隙。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一布线层在彼此相邻的两个所述金属膜之间具有其中未形成有所述气隙而形成有绝缘膜的区域。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一布线层还包括处于所述金属膜和所述绝缘膜之间以及处于所述金属膜和所述防扩散膜之间的保护膜。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一布线层包括在彼此相邻的两个所述金属膜之间的一个所述气隙，以及在所述气隙的内周面上由所述第二膜形成的保护膜。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二布线层也包括所述气隙以及在所述气隙的内周面上由所述第二膜形成的所述保护膜。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一膜和所述第二膜是相同材料的膜。

10.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：

在其中形成有金属膜的布线层的上表面上形成第一膜，所述第一膜用作防止所述金属膜扩散的防扩散膜；

在所述第一膜中形成多个孔；

在所述多个孔下方的所述布线层中形成气隙，所述气隙的开口宽度比所述孔的开口宽度大；以及

在所述气隙的内周面上形成第二膜，并将所述第二膜埋入所述多个孔中。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

将自组装膜涂覆在所述第一膜的上表面上，并且对所述自组装膜进行图案化以形成所述多个孔。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，

将其中形成有所述多个孔的所述第一膜用作掩模，并且在所述布线层的绝缘膜上进行蚀刻，以在所述多个孔下方的所述绝缘膜中形成所述气隙。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

通过将具有所述多个孔的所述第一膜作为掩模，在所述绝缘膜上进行蚀刻以形成开口宽度与所述孔的开口宽度相同的凹槽，并且在所述宽度方向上进一步进行蚀刻，以使所述气隙的开口宽度大于所述孔的开口宽度。

14.一种电子设备，其包括半导体装置，所述半导体装置包括：

第一布线层和第二布线层，均包括金属膜，所述第一布线层和所述第二布线层隔着用于防止所述金属膜扩散的防扩散膜层叠，其中，

所述防扩散膜是通过将所述第二膜埋在形成于所述第一膜中的多个孔中而构成，

至少所述第一布线层包括气隙和在所述气隙的内周面上由所述第二膜形成的保护膜，并且

所述气隙的开口宽度等于形成于所述第一膜中的所述孔的开口宽度，或者大于所述孔的所述开口宽度。