[发明专利]溅射方法及溅射装置在审
申请号: | 201880084230.7 | 申请日: | 2018-12-04 |
公开(公告)号: | CN111556905A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 藤井佳词;中村真也;野吕充则;桥本一义 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红;秦岩 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅射 方法 装置 | ||
1.一种溅射方法,其在真空室内设置碳材质的靶和成膜对象物,通过真空泵将真空室内抽真空到规定压力后,向真空室内导入溅射气体,给靶施加电力并形成等离子体气氛,通过以等离子体中溅射气体的离子对靶进行溅射,从而使从靶飞散的碳粒子附着堆积在成膜对象物表面上,形成碳膜;其特征在于:
至少在靶接收来自等离子体的辐射热期间,通过与第一冷媒的热交换对靶进行冷却;
控制所述第一冷媒的温度,使得第一冷媒的温度保持为263K以下的温度。
2.根据权利要求1所述的溅射方法,其特征在于:
在真空室内配置由第二冷媒冷却的冷却体;
控制所述第二冷媒的温度使得第二冷媒的温度保持为123K~325K的温度。
3.根据权利要求1所述的溅射方法,其特征在于:
在真空室内配置由第二冷媒冷却的冷却体;
控制使得第一冷媒的冷媒温度和第二冷媒的冷媒温度之和为370K~590K的范围内的温度。
4.根据权利要求2或3所述的溅射方法,其特征在于:
所述冷却体设置为冷却面板,所述冷却面板设置为与围绕彼此相对配置的所述靶和所述成膜对象物之间的空间的防护板从该空间的外侧靠近配置,并使该防护板放射冷却。
5.一种溅射装置,其具有:真空室,其具有碳材质的靶;台架,其以在真空室内与靶相对配置的姿态保持成膜对象物;防护板,其围绕靶和台架之间的空间;气体导入单元,其向真空气氛中的真空室内导入溅射气体;以及电源,其给靶施加电力;所述溅射装置,其特征在于:
还具有第一冷媒供给单元,其供给第一冷媒,使得至少在靶接收来自等离子体的辐射热期间,通过与所述第一冷媒的热交换使靶保持在规定温度;
所述第一冷媒供给单元控制所述第一冷媒的温度为保持在263K以下的温度。
6.根据权利要求5所述的溅射装置,其特征在于:
还具有:冷却面板,其从所述空间的外侧与所述防护板靠近配置;以及第二冷媒供给单元,其将第二冷媒供给到该冷却面板;
所述第二冷媒供给单元控制所述第二冷媒的温度为123K~325K的范围内的温度。
7.根据权利要求5所述的溅射装置,其特征在于:
还具有:冷却面板,其从所述空间的外侧与所述防护板靠近配置;以及第二冷媒供给单元,其将第二冷媒供给到该冷却面板;
具有调温单元,其进行温度调节,使得第一冷媒的冷媒温度和第二冷媒的冷媒温度之和为370K~590K的范围内的温度。
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