[发明专利]检测质块偏移量补偿

权利要求书

1.一种微机电MEMS传感器，包括：

基板；

第一电极，其位于基板上；

锚固件，其耦合到基板；

第一检测质块，其耦合到锚固件；

第二检测质块，其耦合到锚固件，其中第一检测质块和第二检测质块电分离；

第一感测元件，其耦合到第一检测质块和第一电极；以及

第二感测元件，其耦合到第二检测质块和第一电极。

2.如权利要求1所述的MEMS传感器，其中第一检测质块响应于第一外力而在第一方向上移动，并且第一感测元件响应于第一检测质块沿着第一方向的运动而输出第一感测信号。

3.如权利要求2所述的MEMS传感器，其中第一检测质块和第二检测质块响应于第二外力而在第二方向上移动，并且第一感测元件和第二感测元件响应于第二检测质块在第二方向上的运动而输出第二感测信号。

4.如权利要求3所述的MEMS传感器，还包括耦合到第一感测元件和第二感测元件的处理电路系统，以基于第一感测信号和第二感测信号输出与第一外力对应的测得的信号。

5.如权利要求4所述的MEMS传感器，其中第一检测质块和第二检测质块的响应于第二力在第二方向上的运动生成基本上为零的输出信号。

6.如权利要求3所述的MEMS传感器，其中第一外力包括加速度、磁场、声压、大气环境压力或科里奥利力。

7.如权利要求5所述的MEMS传感器，其中第二外力包括热膨胀、制造负荷、震动、冲击、焊接或吸湿膨胀。

8.如权利要求3所述的MEMS传感器，其中第一方向和第二方向基本上垂直于基板。

9.如权利要求1所述的MEMS传感器，其中第一感测元件和第二感测元件包括可变电容器、压阻传感器、压电传感器、光学传感器或磁传感器。

10.如权利要求1所述的MEMS传感器，其中第二检测质块包括经由桨延伸部耦合到锚固件的桨主体，其中桨主体在至少三个侧面上被第一检测质块包围。

11.如权利要求10所述的MEMS传感器，其中桨主体和第一检测质块包括梳状结构。

12.如权利要求10所述的MEMS传感器，其中桨主体和第一检测质块包括叉指状星形结构。

13.如权利要求10所述的MEMS传感器，其中桨主体和第一检测质块包括叉指状分形结构。

14.如权利要求1所述的MEMS传感器，还包括：

第二电极，其位于基板层上；

第三感测元件，其耦合到第一检测质块和第二电极；以及

第四感测元件，其耦合到第二检测质块和第二电极。

15.如权利要求14所述的MEMS传感器，还包括耦合到第一感测元件、第二感测元件、第三感测元件和第四感测元件的处理电路系统，以输出与第一外力对应的测得的信号。

16.如权利要求15所述的MEMS传感器，其中第一感测元件、第二感测元件、第三感测元件和第四感测元件中的每一个均包括可变电容器，并且处理电路系统包括电容惠斯顿桥和电荷至电压放大器。

17.如权利要求16所述的MEMS传感器，其中第一电极耦合到电荷至电压放大器的第一端子，第二电极耦合到电荷至电压放大器的第二端子，第一检测质块用第一电压驱动，并且第二检测质块用第二电压驱动。