[发明专利]用于感测表面EMG信号的双电源模拟电路在审

专利信息
申请号: 201880084452.9 申请日: 2018-11-16
公开(公告)号: CN112040863A 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 郭宁;乔纳森·里德 申请(专利权)人: 脸谱科技有限责任公司
主分类号: A61B5/0492 分类号: A61B5/0492;A61B5/00
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 陆建萍;杨明钊
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 表面 emg 信号 双电源 模拟 电路
【权利要求书】:

1.一种表面肌电(sEMG)系统,包括:

一对干sEMG电极;和

放大电路,其包括被配置为由双电源电压供电的第一差分放大器,

其中,所述一对干sEMG电极中的第一sEMG电极DC耦合到所述第一差分放大器的正输入端子,并且所述一对干sEMG电极中的第二sEMG电极DC耦合到所述第一差分放大器的负输入端子。

2.根据权利要求1所述的sEMG系统,其中,所述第一差分放大器被配置为具有大约0伏的共模电压。

3.根据权利要求1所述的sEMG系统,其中,所述第一差分放大器被配置为具有至少一千兆欧姆的输入阻抗。

4.根据权利要求3所述的sEMG系统,其中,所述第一差分放大器被配置为具有至少一垓欧的输入阻抗。

5.根据权利要求1所述的sEMG系统,其中,所述第一差分放大器被配置为具有小于50的增益。

6.根据权利要求5所述的sEMG系统,其中,所述第一差分放大器被配置为具有小于15的增益。

7.根据权利要求1所述的sEMG系统,其中,所述第一差分放大器包括场效应晶体管(FET)。

8.根据权利要求1所述的sEMG系统,还包括:

第一电阻器,其布置在所述第一sEMG电极和所述第一差分放大器的所述正输入端子之间;和

第二电阻器,其布置在所述第二sEMG电极和所述第一差分放大器的所述负输入端子之间。

9.根据权利要求1所述的sEMG系统,其中,所述放大电路还包括:

第二差分放大器,其具有耦合到所述第一差分放大器的输出端子的输入端。

10.根据权利要求9所述的sEMG系统,其中,所述第二差分放大器被配置为由单电源电压供电。

11.根据权利要求9所述的sEMG系统,其中,所述第二差分放大器被配置为由双电源电压供电。

12.根据权利要求9所述的sEMG系统,其中,所述第二差分放大器AC耦合到所述第一差分放大器的输出端子。

13.根据权利要求9所述的sEMG系统,其中,所述第二差分放大器的增益大于所述第一差分放大器的增益。

14.根据权利要求9所述的sEMG系统,其中,所述放大电路还包括:

第三差分放大器,其具有耦合到所述第二差分放大器的输出端的输入端。

15.根据权利要求1所述的sEMG系统,还包括:

模数转换器,其耦合到所述放大电路的输出端;以及

至少一个处理器,其耦合到所述模数转换器,其中所述至少一个处理器被配置成对从所述模数转换器接收的信号执行数字信号处理。

16.根据权利要求1所述的sEMG系统,其中,所述一对干sEMG电极被布置在被配置为佩戴在用户的身体部位上或围绕用户的身体部位佩戴的可佩戴设备上。

17.根据权利要求1所述的sEMG系统,还包括:

至少一个隔离部件,其被配置为在具有数字数据通信的所述sEMG系统的部件之间提供电流隔离;和

至少一个隔离电源,其被配置为向使用所述至少一个隔离部件隔离的所述sEMG系统的所述部件中的一个或更多个提供操作电力。

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