[发明专利]用于形成半导体装置的后柱方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

衬底，其具有第一侧、接近所述第一侧的多个电路元件及与所述第一侧相对的第二侧；

通孔，其从所述第一侧延伸穿过所述衬底到所述第二侧；

导电材料，其在所述通孔中且具有延伸超过所述衬底的所述第二侧的突出部分；

导电垫，其在所述第一侧上且电耦合到所述导电材料；以及

导电柱，其在所述第二侧上、至少部分包围所述导电材料的所述突出部分且电耦合到所述导电材料。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电垫延伸超过所述衬底的所述第一侧达第一距离，且其中所述导电柱延伸超过所述衬底的所述第二侧达大于所述第一距离的第二距离。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一距离介于约0.1到5μm之间且其中所述第二距离介于约10到100μm之间。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述第二距离介于约35到60μm之间。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电柱完全包围所述导电材料的所述突出部分。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置不包含所述衬底与所述导电柱之间的电介质材料。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述衬底直接接触所述导电柱。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述通孔是第一通孔，其中所述导电材料是第一导电材料，其中所述导电柱是第一导电柱，且所述半导体装置进一步包括：

第二通孔，其从所述第一侧延伸穿过所述衬底到所述第二侧；

第二导电材料，其在所述第二通孔中且具有延伸超过所述衬底的所述第二侧的突出部分；以及

第二导电柱，其在所述第二侧上、至少部分包围所述第二导电材料的所述突出部分且电耦合到所述第二导电材料，

其中所述第一导电材料的所述突出部分具有在所述衬底的所述第二侧上方的第一高度，其中所述第二导电材料的所述突出部分具有在所述衬底的所述第二侧上方的第二高度，且其中所述第一高度不同于所述第二高度。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电材料的表面基本上与所述衬底的所述第一侧共面。

10.一种制造半导体装置的方法，其包括：

在衬底的第一侧上形成导电垫且将所述导电垫电耦合到部分延伸穿过所述衬底的通孔的导电材料；

从所述衬底的第二侧移除材料使得所述通孔的所述导电材料突出超过所述衬底的所述第二侧以界定所述导电材料的突出部分；以及

在所述衬底的所述第二侧上且至少部分围绕所述导电材料的所述突出部分形成导电柱。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：

在形成所述导电垫之后，经由具有小于约30μm的厚度的粘合剂将载体耦合到所述衬底的所述第一侧。

12.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：

在形成所述导电垫之后，经由具有小于约10μm的厚度的粘合剂将载体耦合到所述衬底的所述第一侧。

13.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：

在形成所述导电垫之后，将载体耦合到所述衬底的所述第一侧；及

在形成所述导电柱之后，将所述载体从所述衬底解耦合，其中在将所述载体耦合到所述衬底之前及在从所述衬底移除所述载体之后所述载体具有相同厚度。

14.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述导电垫包含将导电垫材料至少部分镀覆到(a)所述衬底的所述第一侧及(b)所述通孔的所述导电材料上，使得所述导电垫材料具有在所述衬底的所述第一侧上方小于约10μm的高度。