[发明专利]包括一种原子层沉积顺序的方法

权利要求书

1.一种方法，其包括以下ALD顺序：

使处于等于或低于650℃的温度T1的外衬底表面与含Si前驱物接触以使包括来自所述含Si前驱物的Si的单层形成到所述外衬底表面上；

使所述外衬底表面及其上的所述含Si单层的温度升高到比所述温度T1的最大值大至少100℃且大于650℃的温度T2，所述升温具有用不超过10秒来使所述外衬底表面及其上的所述含Si单层高于650℃的升温速率；

在所述温度T2下，使所述含Si单层与含O及/或含N前驱物接触，所述含O及/或含N前驱物与所述含Si单层反应以形成各自包括绝缘材料的反应产物及新外衬底表面，所述绝缘材料包括来自所述单层的硅以及来自所述含O及/或含N前驱物的O及N中的至少一者；及

由于不允许所述含Si单层高于650℃达10秒以上，因此使所述新外衬底表面的温度从所述温度T2降低到比所述温度T2的最小值低至少50℃且低于或等于650℃的较低温度TL。

2.根据权利要求1所述的方法，其不包含在高于650℃的温度下使所述外衬底表面与任何含Si前驱物接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述温度T1不低于20℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括重复所述顺序且直到形成总共不超过100埃的所述绝缘材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其包括重复所述顺序直到所述绝缘材料总共不小于10埃。

6.根据权利要求4所述的方法，其中当开始所述方法时，所述衬底的最外部区域包括元素形式Si，如果有的话，所有所述重复消耗不超过所述元素形式Si 2埃。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所有所述重复不消耗可测量量的所述元素形式Si。

8.根据权利要求1所述的方法，其包括在与所述含O及/或含N前驱物接触之前及之后中的至少一者，使所述衬底与含金属前驱物接触且形成所述反应产物及所述新外表面以包括来自所述含金属前驱物的金属。

9.根据权利要求8所述的方法，其中与所述含金属前驱物的所述接触是在与所述含O及/或含N前驱物的所述接触之前且在所述温度T1下发生，使得所述新外表面在形成具有所述新外表面的所述反应产物时立即包括所述金属。

10.根据权利要求8所述的方法，其中与所述含金属前驱物的所述接触是在与所述含O及/或含N前驱物的所述接触之后发生，使得具有所述新外表面的所述反应产物在形成具有所述新外表面的所述反应产物之后且非之前包括所述金属。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

与所述含金属前驱物的所述接触是在所述温度T1下发生且使包括来自所述含金属前驱物的金属的单层形成到所述新外衬底表面上；

此后，使所述新外衬底表面及其上的所述含金属单层的温度升高到所述温度T2，所述新外衬底表面及其上的所述含金属单层的所述升温具有升温速率且用不超过10秒来使所述新外衬底表面及其上的所述含金属单层高于650℃；及

在所述温度T2下，使所述含金属单层与所述含O及/或含N前驱物接触，所述含O及/或含N前驱物与所述含金属单层反应以形成各自包括所述绝缘材料的另一反应产物及另一新外衬底表面，所述绝缘材料包括来自所述含金属单层的所述金属以及来自所述含O及/或含N前驱物的O及N中的至少一者。

12.根据权利要求8所述的方法，其中与所述含金属前驱物的所述接触是在与所述含O及/或含N前驱物的所述接触之前及之后发生。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述温度T1不大于500℃。