[发明专利]具有更强健读/写效能的自旋力矩转移磁性随机存取存储器散热器及磁性屏蔽结构设计

权利要求书

1.一种形成磁性薄膜装置的方法，其包括：

提供一薄膜沉积物；

图案化该薄膜沉积物以产生分开的多个堆叠物；

在图案化的该沉积物的所有暴露的顶表面及侧表面上方共形地沉积一第一封装层，该封装层是一防氧化层，且该封装层借此形成抵靠图案化的该沉积物的侧表面的多个防氧化保护侧壁；

在该第一封装层上方共形地形成一第二封装层，该第二封装层是一散热层；

在该第二封装层上共形地形成一第三封装层，该第三封装层是用于图案化该散热层的一硬遮罩层；

通过使用该硬遮罩层产生一自对准蚀刻工艺来移除该散热层的上部分，该蚀刻工艺留下该散热层的剩余侧部分以环绕仍共形地覆盖图案化的该沉积物的该第一封装层；接着

使用一层间介电质填充图案化的该沉积物内的所有空间；及

通过一CMP工艺产生经封装的该沉积物的一平坦顶表面，该CMP工艺移除包含该第一封装层及该散热层的上部分且暴露该沉积物中可进行一电性连接的一导电部分的经封装的图案化的该沉积物的部分；接着

在该平坦化的表面上方形成一导电位元线以电接触所有所述沉积物的暴露的上部分。

2.一种形成磁性薄膜装置的方法，其包括：

提供一薄膜沉积物；

图案化该薄膜沉积物以产生分开的多个堆叠物；

在图案化的该沉积物的所有暴露的顶表面及侧表面上方共形地沉积一第一封装层，该封装层是一防氧化层，且该封装层借此形成抵靠图案化的该沉积物的侧表面的多个防氧化保护侧壁；

在该第一封装层上方共形地形成一第二封装层，该第二封装层是一散热层；

在该第二封装层上方共形地形成一第三封装层，该第三封装层是一磁性屏蔽层；

在该第三封装层上方共形地形成一第四封装层，该第四封装层是用于图案化该散热层的一硬遮罩层；

通过使用该硬遮罩层产生一自对准蚀刻工艺来移除该散热层及该磁性屏蔽层的上部分，该蚀刻工艺留下该散热层及该磁性屏蔽层的剩余侧部分以环绕仍共形地覆盖图案化的该沉积物的该第一封装层；接着

使用一层间介电质填充图案化的该沉积物内的所有空间；及

通过一CMP工艺产生经封装的该沉积物的一平坦顶表面，该CMP工艺移除包含该第一封装层、该散热层及该磁性屏蔽层的上部分且暴露该沉积物中可进行一电连接的一导电部分的经封装的图案化的该沉积物的部分；接着

在该平坦化的表面上方形成一导电位元线以电接触所有所述沉积物的暴露的上部分。

3.一种形成磁性薄膜装置的方法，其包括：

提供一薄膜沉积物；

图案化该薄膜沉积物以产生分开的多个堆叠物；

在图案化的该沉积物的所有暴露的顶表面及侧表面上方共形地沉积一第一封装层，该封装层是一防氧化层，且该封装层借此形成抵靠图案化的该沉积物的侧表面的多个防氧化保护侧壁；

在该第一封装层上方共形地形成一第二封装层，该第二封装层是一散热层；

在该第二封装层上方共形地形成一第三封装层，该第三封装层是一磁性屏蔽层；

在该第三封装层上方共形地形成一第四封装层，该第四封装层是用于图案化该散热层的一硬遮罩层；

通过使用该硬遮罩层产生一自对准蚀刻工艺来移除该散热层及该磁性屏蔽层的上部分，该蚀刻工艺留下该散热层及该磁性屏蔽层的剩余侧部分以环绕仍共形地覆盖图案化的该沉积物的该第一封装层；接着

使用一层间介电质填充图案化的该沉积物内的所有空间；及

通过一CMP工艺产生经封装的该沉积物的一平坦顶表面，该CMP工艺移除包含该第一封装层及该散热层的上部分的经封装的图案化的该沉积物的部分，但保持该磁性屏蔽层的上部分完整，借此该磁性屏蔽层提供该沉积物可进行一电连接的一导电部分；接着

在该平坦化的表面上形成一导电位元线以电接触所有所述沉积物的暴露的上部分。

4.如权利要求1所述的方法，其中该薄膜沉积物是一MTJ堆叠物。

5.如权利要求2所述的方法，其中该薄膜沉积物是一MTJ堆叠物。

6.如权利要求3所述的方法，其中该薄膜沉积物是一MTJ堆叠物。