[发明专利]包括反馈回路的光信号调制器在审
申请号: | 201880084904.3 | 申请日: | 2018-12-18 |
公开(公告)号: | CN111527443A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 乌尔里希·凯尔 | 申请(专利权)人: | 斯科雅有限公司 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;H04B10/50 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李兰;孙志湧 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 反馈 回路 信号 调制器 | ||
1.一种光信号调制器,包括:
调制器单元,所述调制器单元具有用于输入光辐射的光进入端口、各自用于输出调制的光辐射的第一光输出端口和第二光输出端口以及用于输入电调制信号的电进入端口,所述调制器单元被配置为响应于所述电调制信号来调制所述光辐射,
光电检测器,所述光电检测器连接到所述第二光输出端口,并且被配置为测量在所述第二光输出端口处发射的调制的所述光辐射,并且提供监视信号,以及
电信号组合器,所述电信号组合器具有用于输入外部电数据信号的第一输入端口、用于输入基于所述监视信号的校正信号的第二电输入端口以及连接到所述调制器单元的所述电进入端口的电输出端口,
其中,所述组合器被配置为通过组合所述外部电数据信号和所述校正信号来生成所述电调制信号。
2.根据权利要求1所述的光信号调制器,其中,所述调制器单元、所述光电检测器和所述组合器被集成在相同的半导体芯片中。
3.根据权利要求2所述的光信号调制器,其中,从所述组合器单元的所述输出端口经由所述调制器单元的所述电进入端口、所述调制器单元的所述第二输出端口和所述光电检测器到所述组合器的所述第二电输入端口的信号延迟短于25ps。
4.根据权利要求2所述的光信号调制器,其中,所述调制器单元、所述光电检测器和所述组合器被集成在位于所述相同的半导体芯片的相同的半导体衬底上的半导体层中。
5.根据权利要求2所述的光信号调制器,其中,
所述信号调制器被配置为生成具有给定比特持续时间的光数据信号,
所述调制器单元、所述光电检测器和所述组合器被集成在所述相同的半导体芯片中,并且
从所述调制器单元的所述第二输出经由所述光电检测器和所述组合器延伸到所述调制器单元的所述电进入端口的信号路径是如此短以至于信号传播时间降至所述给定比特持续时间的25%以下。
6.根据权利要求1所述的光信号调制器,其中,
所述调制器单元包括具有第一输出端口和第二输出端口的MMI耦合器,
其中,所述MMI耦合器的所述第一输出端口形成所述调制器单元的所述第一光输出端口以及所述光信号调制器的数据输出端口,并且
其中,所述MMI耦合器的所述第二输出端口形成所述调制器单元的所述第二光输出端口。
7.根据权利要求1所述的光信号调制器,
其中,所述调制器单元包括马赫曾德尔干涉仪和位于所述马赫曾德尔干涉仪的至少一个干涉仪臂中的相位调制器,并且
其中,所述电调制信号被施加到至少一个所述相位调制器。
8.根据权利要求7所述的光信号调制器,
其中,所述马赫曾德尔干涉仪包括3dB输出耦合器,
其中,所述3dB输出耦合器是具有第一输出端口和第二输出端口的MMI耦合器,
其中,所述MMI耦合器的所述第一输出端口形成所述调制器单元的所述第一光输出端口,并且
所述MMI耦合器的所述第二输出端口形成所述调制器单元的所述第二光输出端口。
9.根据权利要求1所述的光信号调制器,其中,所述组合器被配置为从所述外部电数据信号中减去所述校正信号,以便生成所述电调制信号。
10.根据权利要求1所述的光信号调制器,其中,
所述组合器包括反相器和加法器,
其中,所述反相器被配置为将所述校正信号的符号反相并且生成反相的校正信号,并且
其中,所述加法器被配置为将所述外部电数据信号和所述反相的校正信号相加,以便生成所述电调制信号。
11.根据权利要求1所述的光信号调制器,其中,所述监视信号是所述校正信号。
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