[发明专利]用于在半导体器件中提供偏置信号的装置和方法在审
申请号: | 201880085022.9 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN111587458A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | *木謙治;塚田修一;江戸幸子 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C7/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体器件 提供 偏置 信号 装置 方法 | ||
描述了用于在半导体器件中提供偏置信号的装置和方法。实例装置包含经配置以提供电源电压的电源,并且进一步包含耦合到所述电源以产生偏置电流的偏置电路。所述偏置电路经配置以使所述偏置电流随着所述电源电压从第一值增加到第二值而减小。在第一操作模式中,所述偏置电路使得所述偏置电流随着所述电源电压从所述第二值进一步增加而继续减小。在第二操作模式中,所述偏置电路还防止所述偏置电流随着所述电源电压从所述第二值的进一步增加而减小。
背景技术
半导体器件(例如,存储器器件)广泛用于在各种电子器件(例如,计算机、无线通信器件、相机、数字显示器等)中存储信息。通过写入半导体器件的不同状态来存储信息。例如,二进制器件具有两个状态,通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它半导体器件中,可以存储两个以上的状态。为了访问所存储的信息,可以读取半导体器件,并且由半导体器件提供所存储的状态。存在各种类型的存储器器件,包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器等。
包含在半导体器件中的各种电路的操作可以依赖于由偏置电路提供的偏置信号。偏置电路可用于向例如缓冲器电路、驱动器电路、延迟电路等各种电路提供偏置电流和/或偏置电压。偏置电路可以向各种电路提供稳定、可靠和/或恒定的偏置信号(例如,电流和/或电压)以用于正确操作。在没有偏置电路的情况下,半导体器件将不能操作或操作不良。由于偏置电路对于半导体器件的正确操作的重要性以及依赖于偏置电路的不同电路的数量,可期望具有可替换的偏置电路设计。
发明内容
描述了用于在半导体器件中提供偏置信号的装置和方法。在本公开的一方面,一种装置包含:电源线,其经配置以提供电源电压;以及偏置电路,其耦合到所述电源线以产生偏置电流。偏置电路经配置以在第一操作模式中随着电源电压从第一值增加到第二值而减小偏置电流,并且随着电源电压从第二值进一步增加而继续减小偏置电流。偏置电路进一步经配置以在第二操作模式中防止偏置电流随着电源电压从第二值的进一步增加而减小。
在本公开的另一方面,一种装置包含偏置电路和缓冲器电路。偏置电路经配置以接收电源电压。偏置电路进一步经配置以在第一操作模式中提供幅值随着电源电压的增加而以一定速率减小到非零最小幅值的偏置信号,并且在第二操作模式中提供幅值随着电源电压的增加而以所述速率减小到小于最小幅值的偏置信号。缓冲器电路经配置以接收偏置信号和电源电压,并且响应于提供给输入端的输入数据选通信号而在输出端处提供输出信号。缓冲器电路进一步经配置以具有从输入端到输出端的随偏置信号的幅值而变化的传播延迟。
在本公开的另一方面,一种方法包含:响应于电源电压的变化而改变偏置信号,所述偏置信号具有用于使电源电压增加的最小电流;以及基于所述偏置信号而改变经配置以接收所述电源电压的电路的传播延迟。所述方法进一步包含将偏置信号减小到小于用于增加电源电压的最小电流,以评估电路的操作。
附图说明
图1是根据本公开的实施例的半导体器件的框图。
图2是根据本公开的实施例的DQS输入缓冲器和输入/输出电路的一部分的框图。
图3是根据本公开的实施例在图2的DQS输入缓冲器和输入/输出电路的操作期间各种信号的时序图。
图4是根据本公开的实施例的输入电路的示意图。
图5是根据本公开的实施例的偏置电路的示意图。
图6A是示出根据本公开的实施例在针对第二操作模式的图5的偏置电路的操作期间各种电流的图。
图6B是示出根据本公开的实施例在针对第一操作模式的图5的偏置电路的操作期间各种电流的图。
图7是根据本公开的实施例的电阻的示意图。
图8是根据本公开的实施例的偏置电路的示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880085022.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。