[发明专利]自毁设备和方法以及应用该设备和方法的半导体芯片

权利要求书

1.一种可自毁装置，包括：

包括多个空腔室的可自毁操作单元；

可变电压/电流供应单元，被配置为向可自毁操作单元供应可变电压和电流；

标识(ID)匹配单元，被配置为将从外部源输入的ID与分配给空腔室中的每一个的数字物理不可克隆功能(PUF)ID进行比较，以确定两个ID是否彼此匹配，使得可变电压/电流供应单元的电力仅被供应给多个空腔室中的期望的空腔室；

数字PUF ID生成单元，被配置为生成输入到ID匹配单元的数字PUF ID；和

外部ID输入单元，被配置为生成被输入到ID匹配单元的ID。

2.根据权利要求1所述的可自毁装置，其中，所述可自毁操作单元包括：

形成在衬底上的第一绝缘层；

面对的针状金属图案和棒状金属图案的第一金属层，第一金属层形成在第一绝缘层上；

形成在第一金属层上的第二绝缘层；

面对的针状金属图案和棒状金属图案的第二金属层，第二金属层形成在第二绝缘层上；

形成在第二金属层上的第三绝缘层；

面对的针状金属图案和棒状金属图案的第三金属层，第三金属层形成在第三绝缘层上；

形成在第三金属层上的第四绝缘层；

面对的针状金属图案和棒状金属图案的第四金属层，第四金属层形成在第四绝缘层上；

导电的层间通路对，被配置为将在第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层中形成的面对的针状金属图案中的处于一端的针状金属图案彼此并联连接，并且被配置为将面对的针状金属图案中的处于另一端的针状金属图案彼此并联连接；

导电的层间通路，被配置为将形成在第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层中的棒状金属图案彼此串联连接；

形成在第四金属层和第四绝缘层上的第五绝缘层；

通过干法(等离子)蚀刻工艺形成在第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层和第五绝缘层中的多个空腔；和

数字PUF ID生成单元，其具有可自毁操作单元，所述可自毁操作单元被配置成将可燃或爆炸性材料注入多个空腔中，并且用膜或玻璃密封所述空腔。

3.根据权利要求2所述的可自毁装置，其中，所述金属层的面对的针状金属图案各自具有形成为水平或弯曲的一个端部，所述端部具有三角形、箭头形和尖形中的任何一个。

4.根据权利要求2所述的可自毁装置，其中，所述可自毁操作单元的绝缘层和金属层沿水平方向布置。