[发明专利]在低温温度下从气体或液体流中回收氙的吸附性方法

权利要求书

1.一种用于从包含氙和至少一种其它可吸附组分的液态或气态低温进料流中回收氙的吸附方法，所述方法包括：

i.在低温温度下将所述进料流进料到吸附容器的入口中，所述吸附容器包括负载有至少一种对氙有选择性的吸附剂的吸附床，

其中所述吸附床具有入口和出口，所述吸附剂是X型银离子交换沸石，

ii.将所述吸附床保持在进料状态，直到所述吸附床的所述出口处的氙浓度大于或等于所述吸附床的所述入口处的氙浓度的90％，

iii.结束到所述吸附床的所述进料，

iv.如果所述进料流是液体，则排空所述吸附床，或者如果所述进料流是气体，则对所述吸附床减压，

v.在有效解吸共吸附在所述吸附床中的所述吸附剂上的任何氧并从所述吸附床的非选择性空隙空间去除所述至少一种其它可吸附组分的温度下，用吹扫气体吹扫所述吸附床，

vi.将所述吸附床的温度升高至有效地从所述吸附床中的所述吸附剂上解吸所有氙的温度，然后吹扫所加热的吸附床，以吹扫出保留在所述吸附剂上和/或残留在所述容器的所述空隙空间中的任何残余氙，

vii.回收从所述吸附床解吸的氙产物，

viii.将所述吸附床冷却至低温温度，并以循环的方式重复步骤i.至viii.。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述吹扫气体选自氩、氦、氪或它们的任何组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸附床的温度通过以下方式增加：

i.用所述吸附床内部的嵌入式加热装置直接加热所述吸附床，

ii.通过施加加热的产物氙来加热所述吸附床，以吹扫所述吸附床进行再生，或者

iii.用间接加热方法加热所述吸附床。

4.根据权利要求3所述的方法，其中利用间接加热方法，其中所述方法包括通过吸附容器壁的外部间接加热所述吸附剂。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述容器是带夹套的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤vi中提供真空以帮助回收从所述吸附剂解吸的所述氙，其中所述真空由密封的真空产生装置在760托下产生。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述真空为≤100托。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述真空为≤20托。

9.根据权利要求6所述的方法，其中将所述真空和加热相结合。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述低温进料流中的所述至少一种其它可吸附组分包含烃、氪或它们的组合。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述烃为甲烷、乙烷、乙烯、丙烷或它们的组合。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述进料流包含1-2000ppm氙、

10-20000ppm Kr、500-8000ppm烃、0-200ppm N₂O、0-100ppm CO₂、0-1200ppm Ar、ppm量的N₂以及其它大气气体，余量为O₂。

13.根据权利要求1所述的方法，其中将步骤i.的所述吸附床预先冷却至≤120K的温度。

14.根据权利要求1所述的方法，其中继续所述吹扫步骤，直到所述吸附床的所述出口处的烃水平≤50ppm。

15.根据权利要求14所述的方法，其中继续所述吹扫步骤，直到所述吸附床的所述出口处的烃水平≤10ppm。