[发明专利]光掩模在审
申请号: | 201880085631.4 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN111566559A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 奥村哲人;宫地宏昭 | 申请(专利权)人: | 凸版印刷株式会社 |
主分类号: | G03F1/70 | 分类号: | G03F1/70;G03F7/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模 | ||
一种光掩模,通过多透镜的连接部(J1~J4)的扫描曝光而转印的光掩模的图案的线宽、以及通过多透镜的非连接部(L1~L3)的扫描曝光而转印的光掩模的图案的线宽中的至少一方是对设计线宽进行了修正的线宽,进行了修正的线宽是在扫描方向、以及与扫描方向正交的方向中的至少一个方向上阶段性地变化的线宽,阶段性地变化的线宽包含基于随机数的修正成分(R),随机数基于对正弦波进行了频率调制的波形,或者基于白噪声。
技术领域
本发明涉及在具备由多透镜构成的投影透镜的扫描方式的投影曝光中使用的光掩模。本申请基于2018年1月10日在日本提交的特愿2018-001938号并主张其优先权,将其内容援引于本申请。
背景技术
近年来,随着大型彩色电视机、笔记本电脑、携带用电子设备的增加,液晶显示器、特别是彩色液晶显示器面板的需求显著增加。彩色液晶显示器面板中使用的滤色片基板是经过光刻工序而形成的,该光刻工序为,在由玻璃基板等构成的透明基板上,由红色滤色片、绿色滤色片、蓝色滤色片等构成的着色像素、黑矩阵以及间隔件等进行使用了光掩模的图案曝光、显影等图案形成处理。
最近,彩色液晶显示器面板本身被要求大型化,并且还要求生产效率的提高。因而,关于彩色液晶显示器面板中使用的滤色片基板,例如使母板玻璃的尺寸大型化而高效地制造包含大量显示器面板用图案的被排版了多面的大型滤色片基板尤其重要。
除此之外,在彩色液晶显示器面板中,还提出了在形成了显示器件的阵列基板(硅衬底)上形成着色像素、黑矩阵、平坦化层、间隔件等构成要素的反射型彩色液晶显示装置。
在这些彩色液晶显示装置用的滤色片基板的制造中,以往,为了获得高的生产性,多数情况下使用一并曝光类型的光掩模而采用一并曝光处理方式。但是,随着基板尺寸的进一步大型化而光掩模不断大型化,一并曝光类型的光掩模在制造技术上的困难增加且变得高价,一并曝光处理方式的问题点不断变大。因而,不断推进使用低价且制造容易的小尺寸的光掩模、将抗蚀剂(感光性树脂液)涂敷在基板上一边在基板上进行扫描一边进行曝光的方式(扫描曝光方式)的开发。
另一方面,内置于数字摄像机等中的固体摄像元件为,在直径为30cm程度的硅晶圆基板的表面上排开配置多个图像传感器,利用晶圆工序形成构成图像传感器的大量的光电变换元件(CCD或CMOS)、布线。然而,为了能够拍摄彩色图像,在所述光电变换元件上利用光刻工序形成由颜色分解用的着色像素和微透镜构成的OCF(On Chip Filter)层之后,利用切割工序将其裁断而形成晶片(单个片)状的固体摄像元件,不断进行开发以在用于形成OCF层的光刻工序中也利用所述的扫描曝光方式。
图13是表示以往的扫描曝光方式的投影曝光装置的构成的概念图(例如,专利文献1)。在以往的投影曝光装置中,使从设置于光掩模200上部的光源单元(未图示)出射的曝光用光110向光掩模200照射,经由进行了图案形成的光掩模200而使涂敷在基板400上的抗蚀剂感光,由此,形成黑矩阵、着色像素、间隔件、微透镜的图案。投影透镜300通过由千鸟状排列(交错地排列)的多个柱状透镜构成的多透镜构成,投影透镜300的整体的中心位于光掩模200的扫描方向的中心线上。
例如在光掩模200的大小为基板400的1/4的大小、在(X,Y)方向上进行(2,2)的4版面扫描曝光的情况下,首先以使光掩模200的中心与基板400的1/4的区域中的中心一致的方式移动,确定初始位置。然后,光掩模200以及基板400相对于固定的投影透镜300,沿Y方向同时进行扫描动作,将形成于光掩模200的图案转印到基板400的1/4的区域的抗蚀剂。移动到剩余的3处初始位置而重复该动作,进行向基板400整体的抗蚀剂的转印。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备