[发明专利]经修饰的配体门控的离子通道及使用方法

权利要求书

1.经修饰的配体门控的离子通道(LGIC)，其包含至少一个经修饰的LGIC亚基，所述经修饰的LGIC亚基包含：

包含氨基酸修饰的配体结合域(LBD)，和

离子孔域(IPD)。

2.权利要求1的经修饰的LGIC，其中所述经修饰的LGIC是包含来自第一LGIC的LBD和来自第二LGIC的IPD的嵌合LGIC。

3.权利要求1的经修饰的LGIC，其中所述LBD是α7烟碱乙酰胆碱受体(α7-nAChR)LBD。

4.权利要求3的经修饰的LGIC，其中所述氨基酸修饰包含在选自下组的一个或多个氨基酸残基处的氨基酸取代：所述α7-nAChR LBD的残基77、79、115、131、139、141、175、210、216、217和219。

5.权利要求4的经修饰的LGIC，其中所述氨基酸取代位于所述α7-nAChR LBD的残基77处，并且其中所述氨基酸取代选自下组：W77F和W77Y。

6.权利要求4的经修饰的LGIC，其中所述氨基酸取代位于所述α7-nAChR LBD的残基79位处，并且其中所述氨基酸取代选自下组：Q79A、Q79G和Q79S。

7.权利要求4的经修饰的LGIC，其中所述氨基酸取代位于所述α7-nAChR LBD的残基115处，并且其中所述氨基酸取代是Y115F取代。

8.权利要求4的经修饰的LGIC，其中所述氨基酸取代位于所述α7-nAChR LBD的残基131处，并且其中所述氨基酸取代选自下组：L131A、L131G、L131M和L131N。

9.权利要求4的经修饰的LGIC，其中所述氨基酸取代位于所述α7-nAChR LBD的残基139处，并且其中所述氨基酸取代选自下组：Q139G和Q139L。

10.权利要求4的经修饰的LGIC，其中所述氨基酸取代位于所述α7-nAChR LBD的残基175处，并且其中所述氨基酸取代选自下组：G175A、G175F、G175H、G175K、G175M、G175R、G175S和G175V。

11.权利要求4的经修饰的LGIC，其中所述氨基酸取代位于所述α7-nAChR LBD的残基210处，并且其中所述氨基酸取代是Y210F取代。

12.权利要求4的经修饰的LGIC，其中所述氨基酸取代位于所述α7-nAChR LBD的残基216处，并且其中所述氨基酸取代是P216I取代。

13.权利要求4的经修饰的LGIC，其中所述氨基酸取代位于所述α7-nAChR LBD的残基217处，并且其中所述氨基酸取代是Y217F取代。

14.权利要求4的经修饰的LGIC，其中所述氨基酸取代位于所述α7-nAChR LBD的残基219处，并且其中所述氨基酸取代是D219A取代。

15.权利要求4的经修饰的LGIC，其中所述α7-nAChR LBD包含L131G氨基酸取代、Q139L氨基酸取代和Y217F氨基酸取代。

16.权利要求4的经修饰的LGIC，其中所述α7-nAChR LBD包含L131M氨基酸取代和Y115F氨基酸取代。

17.权利要求4的经修饰的LGIC，其中所述α7-nAChR LBD包含W77F氨基酸取代、Q79G氨基酸取代和G175K氨基酸取代。