[发明专利]用于降低磨料颗粒与清洁刷之间的相互作用的组合物和方法

权利要求书

1.一种从化学机械处理后(CMP后)清洁刷去除磨料颗粒的方法，所述方法包含：

提供具有聚合物表面并在所述聚合物表面处具有磨料颗粒残余物的CMP后清洁刷，

提供pH低于7的清洁溶液，所述清洁溶液包含：

清洁剂，和

颗粒去除剂，并且

通过使所述聚合物表面与所述清洁溶液接触而从所述聚合物表面去除磨料颗粒残余物。

2.一种衬底的化学机械处理后(CMP后)清洁的方法，所述方法包含：

提供具有聚合物表面的CMP后清洁刷，

提供清洁溶液，其包含：

清洁剂，和

颗粒去除剂，

提供包括表面的衬底，其在所述衬底表面处具有残余物，所述残余物包括磨料颗粒，并且

通过将所述衬底表面和所述聚合物表面暴露于所述清洁溶液，同时使所述衬底表面与所述聚合物表面接触并且同时使所述衬底表面相对于所述聚合物表面移动，从所述衬底表面去除残余物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述清洁溶液的pH在约1至6范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物表面包括含有氢键合基团的聚合物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述聚合物由包含乙烯醇单体的单体制得。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述颗粒去除剂包括一个或多个氢键合基团。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述氢键合基团为：羧酸基、氨基、醇基、膦基、磷酸酯基、膦酸酯基、烷醇胺基、碳酰胺基、脲基、氨基甲酸酯基、酯基、甜菜碱基团、硅烷醇基或含硫基团。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述颗粒去除剂为羧酸化合物、氨基酸化合物、具有至少3个羟基的多元醇、聚环氧烷均聚物或共聚物、含胺均聚物或共聚物。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述颗粒去除剂为：乳酸、顺丁烯二酸、脲、乙醇酸、山梨糖醇、硼砂(即硼酸钠)、脯氨酸、甜菜碱、甘氨酸、组氨酸、TRIS(三(羟甲基)氨基甲烷)、二甲亚砜、环丁砜、丙三醇、山梨糖醇、木糖醇、果糖、甘露糖醇、阿糖醇和葡聚糖或其组合。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述磨料颗粒在所述清洁溶液的pH下展现正电荷。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述磨料颗粒在所述颗粒的表面包括氢键合基团。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述氢键合基团为硅烷醇(SiOH)基团。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述磨料颗粒选自：硅石颗粒、铈土颗粒、二氧化铈颗粒、氧化铝颗粒、二氧化钛、氧化锆、金刚石或碳化硅颗粒或其组合。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述清洁剂包含螯合剂和有机溶剂中的一种或多种。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述清洁剂包含柠檬酸、单乙醇胺、聚丙烯酸或其组合。

16.一种适用于在化学机械处理后步骤中清洁衬底的清洁溶液浓缩物，所述清洁溶液包含：

清洁剂，和

至少0.1重量％的包括氢键合基团的颗粒去除剂。

17.根据权利要求16所述的浓缩物，其包含：

0.1至20重量％的清洁剂，和

0.1至20重量％的所述颗粒去除剂。

18.根据权利要求16所述的浓缩物，其中所述清洁剂包含螯合剂和有机溶剂的一种或多种。