[发明专利]激光处理装置、激光处理方法和半导体器件制造方法在审
申请号: | 201880085876.7 | 申请日: | 2018-10-30 |
公开(公告)号: | CN111630629A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 山口芳広;泽井美喜;谷川贞夫;佐塚祐贵;小林直之 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本制钢所 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;H01L21/677;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 处理 装置 方法 半导体器件 制造 | ||
1.一种激光处理装置,其特征在于,包括:
处理室,用于对待处理物进行激光处理;
台架,设置在处理室内且用于运送所述待处理物;和
控制单元,用于将所述待处理物在所述台架上的放置位置指示给装载/卸载装置,该装载/卸载装置用于将所述待处理物装载入所述处理室或从所述处理室卸载。
2.根据权利要求1所述的激光处理装置,其特征在于,
所述处理室包括用于装载所述待处理物的装载门和用于卸载所述待处理物的卸载门;以及
在所述台架上,所述待处理物仅在第一方向上从所述装载门向所述卸载门运送。
3.根据权利要求1所述的激光处理装置,其特征在于,
所述处理室包括用于装载所述待处理物的装载门和用于卸载所述待处理物的卸载门;
在所述台架上,所述待处理物在第一方向上从所述装载门向所述卸载门运送,并且
所述装载/卸载装置能够将已经通过所述装载门运入的所述待处理物放置在与所述第一方向相交的第二方向上的预定位置处;以及
所述预定位置根据从所述控制单元发送的位置控制信号确定。
4.根据权利要求3所述的激光处理装置,其特征在于,
所述待处理物具有矩形平面形状,
用于激光处理的激光在所述待处理物的顶表面上方具有沿所述第二方向延伸的线束形状,并且
所述待处理物的沿着所述第二方向的侧面的长度比所述激光在所述第二方向上的长度长。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的激光处理装置,其特征在于,所述待处理物是面积为2160mm×2460mm及以上的玻璃基底。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的激光处理装置,其特征在于,在所述台架的上方设置有装载保持部和卸载保持部,所述装载保持部适于在所述装载/卸载装置装载所述待处理物时使用,所述卸载保持部适于在所述装载/卸载装置卸载所述待处理物时使用。
7.根据权利要求6所述的激光处理装置,其特征在于,
所述装载保持部和所述卸载保持部中的每一个都包括多个推针,并且
所述待处理物被多个推针保持。
8.根据权利要求6所述的激光处理装置,其特征在于,
所述装载保持部和所述卸载保持部中的每一个都由多个槽形成,
所述装载/卸载装置包括臂部,以及
通过将所述臂部插入所述多个槽中来装载或卸载所述待处理物。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的激光处理装置,其特征在于,所述待处理物在所述台架上悬浮地被运送。
10.一种激光处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
(a)将第一位置控制信号传送到用于待处理物的装载/卸载装置,该第一位置控制信号用于控制所述待处理物在台架上的放置位置;
(b)通过所述装载/卸载装置将所述待处理物放置在由所述第一位置控制信号确定的所述台架上的第一位置;
(c)将所述待处理物运送到所述台架上的激光照射位置;
(d)在所述步骤(c)之后,用激光照射所述待处理物;和
(e)在所述步骤(d)之后,通过装载/卸载装置卸载所述待处理物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造