[发明专利]用于制造微机械层结构的方法有效
申请号: | 201880086090.7 | 申请日: | 2018-12-06 |
公开(公告)号: | CN111587301B | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | S·马约尼 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H10N30/50 | 分类号: | H10N30/50;H10N30/081;H10N30/082;H10N30/09;C23C28/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 侯鸣慧 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 微机 结构 方法 | ||
1.用于制造微机械层结构的方法(10),包括以下步骤:
-提供第一保护层(3),其中,所述第一保护层(3)结构化有至少一个基础进口(100),该基础进口填充以牺牲层材料,
-将包括至少一个功能层(4)的功能层-层结构(4、4’)施加到所述第一保护层(3)上,
-在所述功能层-层结构(4、4’)中通向所述第一保护层(3)的所述至少一个基础进口(100)地制造第一进口(101),使得在所述功能层-层结构(4、4’)中的所述第一进口(101)在所述功能层-层结构的层(4、4’)的至少一个层中的宽度大于或等于所述第一保护层(3)的所述至少一个基础进口(100)的宽度,
-将第二保护层(5)施加到所述功能层-层结构(4、4’)上,使得所述第一进口(101)填充以所述第二保护层(5)的材料,
-使所述第二保护层(5)和填充的所述第一进口(101)结构化有通向所述第一保护层(3)的第二进口(102),其中,所述第二进口(102)具有等于或小于所述第一进口(101)的宽度,使得在所述第二进口(102)的宽度较小的情况下所述第二进口(102)的壁通过所述第二保护层(5)的材料形成,
-移除至少在所述第一保护层(3)的基础进口(100)中的牺牲层材料,并且
-移除至少在所述第二进口(102)中的所述第二保护层(5)的材料。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述保护层(3、5)的至少一个保护层中的进口(100、101、102)中沿横向方向移除保护层材料。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的方法,其中,所述牺牲层材料和/或所述保护层材料的移除借助于气相蚀刻实现。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述牺牲层材料的移除基于氟化氢实现,和/或,所述保护层材料的移除基于卤素氟化物实现。
5.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述功能层-层结构(4、4’)的施加包括以下步骤:
-将功能层(4)施加到所述第一保护层(3)上
-将电极层(4’)施加到施加的所述功能层(4)上,该电极层至少部分地包含金属和/或金属化合物。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,在所述电极层(4’)中的第三进口(103)制造有以下宽度,该宽度大于或等于位于该电极层下方的所述功能层(4)的所述第一进口(101)的宽度。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,在施加所述电极层(4’)之前在所述功能层(4)上施加中间保护层(5、5’)。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,在所述电极层(4’)中的所述第三进口(103)中的保护层材料在所述进口的上部区域中在横向上完全被移除,在下部区域中沿横向方向仅部分被移除。
9.根据权利要求5所述的方法,其中,在所述第一保护层(3)上方的不同层(4、4’)中的进口(101、103)制造有不同的宽度。
10.根据权利要求1或2所述的方法,其中,在结构化所述第二保护层(5)之后沉积牺牲层材料以用于封闭所述第二进口(102)。
11.根据权利要求5所述的方法,其中,所述金属化合物是金属氮化物和/或金属硅化物。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第一进口(101)、所述第二进口(102)和所述第三进口(103)的宽度逐层地从上向下减小。
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