[发明专利]功率半导体装置有效

专利信息
申请号: 201880086160.9 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN111587528B 公开(公告)日: 2023-10-20
发明(设计)人: 露野円丈;宝藏寺裕之 申请(专利权)人: 日立安斯泰莫株式会社
主分类号: H02M7/48 分类号: H02M7/48;H01L23/473;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 肖华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 半导体 装置
【说明书】:

本发明的课题在于提高功率半导体装置的可靠性。本发明为一种功率半导体装置,具备:半导体元件;第1端子及第2端子,所述第1端子及第2端子向所述半导体元件传输电流;第1基座及第2基座,所述第1基座及第2基座夹持所述第1端子的一部分、所述第2端子的一部分以及所述半导体元件且互相相对地配置;以及密封材料,其被设置于所述第1基座与所述第2基座之间的空间内,所述第2端子具有中间部,所述中间部以沿着从所述半导体元件离开的方向而使与所述第1端子的距离变大的方式形成,所述中间部设置于所述第1基座与所述第2基座之间并且设置于所述密封材料内。

技术领域

本发明涉及功率半导体装置,尤其涉及一种具有对应于高输出的功率半导体元件的功率半导体装置。

背景技术

由于基于功率半导体元件的切换的电力转换装置的转换效率较高,因此在民生用、车载用、铁路用、变电设备等中被广泛使用。

由于该功率半导体元件通过通电而发热,因此需要较高的散热性。尤其是在车载用途中,为了小型、轻量化,采用有利用了水冷的高效率的冷却系统。关于对功率半导体元件的两面进行冷却的功率半导体装置,专利文献1进行了公开。

专利文献1中记载的功率半导体装置中,通过热可塑性树脂对用热固化性树脂进行树脂模制而成的半导体装置进行模制以形成水路。该水路中冷却水时常接触树脂,从而树脂吸湿到饱和状态,所以存在向半导体元件与树脂的交界面上存在的微小的剥离部中扩散的水渗出的担忧。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特开2012-9568号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明的技术问题为提高功率半导体装置的可靠性。

解决问题的技术手段

本发明的功率半导体装置具备:半导体元件;第1端子及第2端子,所述第1端子及第2端子向所述半导体元件传输电流;第1基座及第2基座,所述第1基座及第2基座夹持所述第1端子的一部分、所述第2端子的一部分以及所述半导体元件且互相相对地配置;以及密封材料,其被设置于所述第1基座与所述第2基座之间的空间内,所述第2端子具有中间部,所述中间部以沿着从所述半导体元件离开的方向而使与所述第1端子的距离变大的方式形成,所述中间部设置于所述第1基座与所述第2基座之间且设置于所述密封材料内。

发明的效果

通过本发明能够提高功率半导体的可靠性。

附图说明

图1为本实施方式中的功率半导体装置140的表面侧的整体立体图。

图2为本实施方式中的功率半导体装置140的背面侧的整体立体图。

图3为将流路盖1003取下后的功率半导体装置140的表面侧的整体立体图。

图4为功率半导体装置140的正面透视图。

图5为关于通过图4中线段AA的截面的功率半导体单元300的截面图。

图6为关于通过图4中线段BB的截面的功率半导体单元300的截面图。

图7为功率半导体装置140的制造工序的截面图。

图8为图7中工序(c)的阶段的功率半导体单元300的俯视图。

图9为以本实施方式的功率半导体装置140的第2基座804为中心的制造工序的立体图。

图10为以本实施方式的功率半导体装置140的第1基座803为中心的制造工序的立体图。

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