[发明专利]弹性波装置、多工器、高频前端电路以及通信装置有效
申请号: | 201880086161.3 | 申请日: | 2018-12-19 |
公开(公告)号: | CN111587535B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 中川亮;岩本英树;高井努;山崎直 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/64 | 分类号: | H03H9/64;H03H9/17;H03H9/25;H03H9/54;H03H9/70;H03H9/72 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 赵琳琳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 弹性 装置 多工器 高频 前端 电路 以及 通信 | ||
1.一种弹性波装置,设置在作为天线端子的第1端子与不同于所述第1端子的第2端子之间,其中,
所述弹性波装置具备多个弹性波谐振器,
所述多个弹性波谐振器包含:
多个串联臂谐振器,设置在将所述第1端子和所述第2端子连结的第1路径上;以及
多个并联臂谐振器,设置在将所述第1路径上的多个节点的每一个和接地连结的多个第2路径上,
在将所述多个弹性波谐振器中的在电连接上最靠近所述第1端子的弹性波谐振器设为天线端谐振器的情况下,
在所述天线端谐振器为第1弹性波谐振器的情况下,所述多个弹性波谐振器中的所述天线端谐振器以外的至少一个弹性波谐振器为第2弹性波谐振器,
在所述天线端谐振器为SAW谐振器或BAW谐振器的情况下,所述多个弹性波谐振器中的所述天线端谐振器以外的至少一个弹性波谐振器为第3弹性波谐振器,
所述SAW谐振器包含:
压电体基板;以及
IDT电极,形成在压电体基板上,并具有多个电极指,
所述第1弹性波谐振器、所述第2弹性波谐振器以及所述第3弹性波谐振器各自包含:
压电体层;
IDT电极,形成在所述压电体层上,并具有多个电极指;以及
高声速构件,夹着所述压电体层位于与所述IDT电极相反侧,传播的体波的声速与在所述压电体层传播的弹性波的声速相比为高速,
在将由所述IDT电极的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时,所述压电体层的厚度为3.5λ以下,
在所述天线端谐振器为所述第1弹性波谐振器且所述至少一个弹性波谐振器为所述第2弹性波谐振器的情况下,所述弹性波装置满足第1条件、第2条件、以及第3条件中的至少一者,
所述第1条件为如下的条件:所述第1弹性波谐振器以及所述第2弹性波谐振器的所述高声速构件各自包含硅基板,所述第1弹性波谐振器的所述硅基板中的所述压电体层侧的面为(111)面或(110)面,所述第2弹性波谐振器的所述硅基板中的所述压电体层侧的面为(100)面,
所述第2条件为如下的条件:所述第1弹性波谐振器的所述压电体层比所述第2弹性波谐振器的所述压电体层薄,
所述第3条件为如下的条件:所述第1弹性波谐振器以及所述第2弹性波谐振器各自包含低声速膜,所述低声速膜设置在所述高声速构件与所述压电体层之间,传播的体波的声速与在所述压电体层传播的体波的声速相比为低速,且所述第1弹性波谐振器的所述低声速膜比所述第2弹性波谐振器的所述低声速膜薄。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置,其中,
所述BAW谐振器包含:
第1电极;
压电体膜,形成在所述第1电极上;以及
第2电极,形成在所述压电体膜上。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
在所述天线端谐振器为所述第1弹性波谐振器且所述至少一个弹性波谐振器为所述第2弹性波谐振器的情况下,所述弹性波装置满足第4条件,
所述第4条件为如下的条件:所述第1弹性波谐振器的所述IDT电极的电极指的电极指长边方向上的每单位长度的质量比所述第2弹性波谐振器的所述IDT电极的电极指的电极指长边方向上的所述每单位长度的质量大。
4.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
在所述天线端谐振器为所述第1弹性波谐振器且所述至少一个弹性波谐振器为所述第2弹性波谐振器的情况下,所述弹性波装置满足第4条件,
所述第4条件为如下的条件:所述第1弹性波谐振器的所述IDT电极的电极指的电极指长边方向上的每单位长度的质量比所述第2弹性波谐振器的所述IDT电极的电极指的电极指长边方向上的所述每单位长度的质量小。
5.根据权利要求1或2所述的弹性波装置,其中,
在所述天线端谐振器为所述第1弹性波谐振器且所述至少一个弹性波谐振器为所述第2弹性波谐振器的情况下,所述弹性波装置满足所述第1条件和所述第2条件中的至少一者,
在所述第1弹性波谐振器和所述第2弹性波谐振器之中,仅所述第1弹性波谐振器包含低声速膜,所述低声速膜设置在所述高声速构件与所述压电体层之间,传播的体波的声速与在所述压电体层传播的体波的声速相比为低速。
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