[发明专利]可变电容器平带电压工程

权利要求书

1.一种半导体可变电容器，包括：

半导体区；

绝缘层；

第一非绝缘区，所述绝缘层被布置在所述半导体区与所述第一非绝缘区之间；

毗邻于所述半导体区布置的第二非绝缘区；

毗邻于所述半导体区布置的第三非绝缘区，所述第二非绝缘区和所述第三非绝缘区具有不同掺杂类型；以及

注入区，其被布置在所述半导体区与所述绝缘层之间，其中所述半导体区包括在所述第二非绝缘区与所述第三非绝缘区之间布置的至少两个区，所述至少两个区具有不同掺杂浓度或不同掺杂类型中的至少一者，所述至少两个区之间的一个或多个结被布置在所述第一非绝缘区的上方或下方。

2.如权利要求1所述的半导体可变电容器，其特征在于，所述注入区从所述第二非绝缘区跨越到所述第三非绝缘区。

3.如权利要求1所述的半导体可变电容器，其特征在于，所述注入区接触所述第二非绝缘区或所述第三非绝缘区中的至少一者。

4.如权利要求1所述的半导体可变电容器，其特征在于，所述至少两个区之间的所述一个或多个结被布置在所述注入区的上方或下方。

5.如权利要求1所述的半导体可变电容器，其特征在于，所述至少两个区包括以下中的至少两者：

本征区；

p阱区；或

n阱区。

6.如权利要求1所述的半导体可变电容器，其特征在于，所述至少两个区包括p阱区、n阱区以及在所述n阱区与所述p阱区之间布置的本征区。

7.如权利要求1所述的半导体可变电容器，其特征在于，所述至少两个区包括p阱区和n阱区，其中所述第二非绝缘区包括n型半导体区，其中所述第三非绝缘区包括p型半导体区，其中所述n阱区被布置毗邻于所述n型半导体区，并且其中所述p阱区被布置毗邻于所述p型半导体区。

8.如权利要求1所述的半导体可变电容器，其特征在于，所述绝缘层包括在所述半导体区与所述第一非绝缘区之间布置的埋氧化物(BOX)区的至少一部分。

9.如权利要求8所述的半导体可变电容器，其特征在于，所述注入区被布置在所述BOX区的所述至少一部分与所述半导体区之间。

10.如权利要求8所述的半导体可变电容器，其特征在于，进一步包括硅化物阻挡层，其中所述BOX区的所述至少一部分和所述硅化物阻挡层被布置毗邻于所述半导体区的相对侧。

11.如权利要求1所述的半导体可变电容器，其特征在于，所述注入区包括具有与所述半导体区的能量带隙不同的能量带隙的半导体材料。

12.如权利要求1所述的半导体可变电容器，其特征在于，所述第一非绝缘区与所述第二非绝缘区之间的电容被配置成通过改变相对于所述第一非绝缘区或所述第二非绝缘区施加到所述第三非绝缘区的控制电压来调整。

13.一种半导体可变电容器，包括：

半导体区，其包括本征区；

绝缘层；

第一非绝缘区，所述绝缘层被布置在所述半导体区与所述第一非绝缘区之间；

毗邻于所述半导体区布置的第二非绝缘区；

毗邻于所述半导体区布置的第三非绝缘区，所述第二非绝缘区和所述第三非绝缘区具有不同掺杂类型；以及

注入区，其被布置在所述半导体区与所述绝缘层之间。

14.如权利要求13所述的半导体可变电容器，其特征在于，所述注入区被布置在所述本征区的上方或下方。

15.如权利要求13所述的半导体可变电容器，其特征在于，所述注入区从所述第二非绝缘区跨越到所述第三非绝缘区。