[发明专利]拒水性保护膜形成用化学溶液和晶片的表面处理方法有效
申请号: | 201880086426.X | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN111630633B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 福井由季;照井贵阳;山田周平;奥村雄三;公文创一;盐田彩织;近藤克哉 | 申请(专利权)人: | 中央硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水性 保护膜 形成 化学 溶液 晶片 表面 处理 方法 | ||
1.一种拒水性保护膜形成用化学溶液,其具有:
(I)下述通式[1]所示的氨基硅烷化合物、
(II)下述通式[2]所示的硅化合物、以及
(III)非质子性溶剂,
(I)的含量相对于(I)~(III)的总量为0.02~0.5质量%,
所述拒水性保护膜形成用化学溶液还含有(IV)下述通式[4]所示的硅氮烷化合物,
(R1)aSi(H)b(NH2)4-a-b [1]
式[1]中,R1分别相互独立地为包含一部分或全部氢元素任选被氟元素置换的碳原子数为1~18的一价烃基的一价有机基团,a为1~3的整数,b为0~2的整数,a与b的合计为1~3;
(R2)cSi(H)dX4-c-d [2]
式[2]中,R2分别相互独立地为包含一部分或全部氢元素任选被氟元素置换的碳原子数为1~18的一价烃基的一价有机基团,另外,X表示选自由卤素基团、-OC(=O)R3、-OS(=O)2-R3、-N(S(=O)2-R3)2、-C(S(=O)2-R3)3组成的组中的至少一种基团,R3为碳原子数为1~6的一价全氟烷基,c为1~3的整数,d为0~2的整数,c与d的合计为1~3,
[(R1)eSi(H)f]2NH [4]
式[4]中,R1分别相互独立地为包含一部分或全部氢元素任选被氟元素置换的碳原子数为1~18的一价烃基的一价有机基团,e为1~3的整数,f为0~2的整数,e与f的合计为3。
2.根据权利要求1所述的拒水性保护膜形成用化学溶液,其中,所述(I)为下述通式[3]所示的化合物,
(R1)eSi(H)fNH2 [3]
式[3]中,R1分别相互独立地为包含一部分或全部氢元素任选被氟元素置换的碳原子数为1~18的一价烃基的一价有机基团,e为1~3的整数,f为0~2的整数,e与f的合计为3。
3.根据权利要求1所述的拒水性保护膜形成用化学溶液,其中,(II)的含量相对于所述(I)~(III)的总量为0.05~20质量%。
4.根据权利要求1所述的拒水性保护膜形成用化学溶液,其中,所述(II)为选自由下述通式[5]组成的组中的至少1种化合物,
(R2)gSi(OC(=O)R3)4-g [5]
式[5]中,R2分别相互独立地为包含一部分或全部氢元素任选被氟元素置换的碳原子数为1~18的一价烃基的一价有机基团,R3为碳原子数为1~6的一价全氟烷基,另外,g为1~3的整数。
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